Lattec - 原位监测薄膜应用的监控传感器

建于1999年10月，Laytec迅速成为化合物半导体过程监控仪器的市场领导者，特别是对于LED生产。在MOVCD和MBE期间，Lattec Metrology可以直接访问所有关键的外延增长性能，极其精度！因此，Laytec的计量成为新技术和设备的关键能力因素，特别是在持续的固态照明革命中。

自2009年以来，LayTec的产品又进入了市场:先进的在线计量，特别为大面积沉积技术(如非晶、多晶和有机薄膜)设计和优化。

在实时控制沉积过程的能力提供高益处：快速识别和纠正异常，加速开发周期，促进了对新线路的既定流程的转移和加速，并且在维护后容易重新建立条件。这一切都增加了更大的产量和降低成本。

* Pyro 400提供了对红外透明衬底(蓝宝石，SiC)的GaN晶圆表面真实温度的访问，其中红外高温测量仅测量衬底表面温度。

EpiTT和EpiTwin TT -用于LED生产的计量工具家族

这些计量系统专门设计为用于最大化晶片产量的基于氮化物的LED和激光生产过程的生产工具。它们基于热测定和反射率测量的组合来具有发射率校正的温度测量。第二反射波长用于同时生长速率测量。附带的软件提供晶圆和区域选择性测量和附加分析选项。Epitt适用于每个薄膜沉积室，其具有对晶片表面的光学接入。Epitwin TT有两个光学头，用于在双环生产反应堆配置中的两个独立位置进行测量。Epitriple TT和ePiquatro TT为使用三个或四个晶片环提供的甚至更大的系统提供三个或四个光学头。

直接测量氮化镓表面温度的原位高温计

到目前为止，研究人员和运营商必须足够的人使用常规红外高温测定的蓝宝石或SiC晶片下方的基座温度检测，通常称为口袋温度。在红外波长下，晶片和层是透明的，因此它们的表面温度不可测量。大晶片的弯曲效果导致晶片直径的剧烈温度偏差。与口袋和晶片之间的距离的增加，温度降低。晶片越大，晶片表面温度和口袋温度之间的局部偏差越大。

使用传统的红外启动子，这些偏差仍然无法检测到。通过检测400 nm的光直接高精度测量GaN层的表面温度。在整个晶圆片直径范围内收集的数据可以生成由弯曲效应引起的表面温度变化的完整剖面。这些温差是造成活动层结构不均匀的原因。简单地说，Pyro 400为您提供了必要的洞察力，以调节晶圆表面的温度和最大限度地提高产量。

Epicurve®TT家族用于晶圆弯曲，温度和生长速率控制

epiccurve®TT提供了在GaN LED生产、GaAs/ ge基太阳能电池、四季材料和许多其他应用中优化产量和最小化弯曲相关的不均匀性所需的所有参数。欧洲杯足球竞彩它包括了EpiTT的所有特性，还可以测量晶圆弯曲度、薄膜成分、表面形貌和其他参数。先进的工具提供了监测非球面弓在两个正交方向测量双面抛光和图案基板(EpiCurve®TT AR)。多头配置的EpiCurve®双TT和EpiCurve®三重TT是专门设计用于多环反应器。单独的紧凑光学EpiTT头在每个环上分别测量温度和反射率。