前言十三世

列表的贡献者第十七章

1。硅科技为当前和未欧洲杯线上买球来的知识社会的背景1塞尔吉奥·s . Pizzini

1.1介绍1

1.2硅出生一个热核Nucleosynthetic过程2

1.3硅关键属性2

1.3.1化学和结构性能2

1.3.2 7点缺陷

1.3.3辐射损伤和辐射硬度7

1.4先进硅应用9

1.4.1硅辐射探测器9

1.4.2光伏电池对航天器和卫星应用11

3高级组件基于硅12中的位错发光

1.4.4硅纳米结构14

引用15

2。过程21
布鲁诺Ceccaroli和塞尔吉奥·s . Pizzini

2.1介绍21

2.2气相过程23

2.2.1的制备和合成挥发性硅化合物23

2.2.1.1 SiHCl3 24的生产和利用

2.2.1.2 SiCl4 25的生产和利用

2.2.1.3生产SiH2Cl2(和其他氯硅烷)26

2.2.1.4 SiH4 27的生产和应用

2.2.1.5 SiF4 29日的生产

2.2.1.6其他硅化合物30

2.2.2净化挥发性硅化合物30

2.2.3分解挥发性元素硅30的先兆

2.2.3.1金属减少30

2.2.3.2氢还原31

2.2.3.3热分解的挥发性硅前体32

2.2.4 33最常见的核反应堆

2.2.5复苏的副产品38

2.2.5.1副产品的热分解或氢减少TCS 38

2.2.5.2副产品的硅烷热分解39

2.2.5.3副产品在金属的情况下减少硅前体40

2.3毫克和UMG硅的生产和进一步细化到太阳能40级通过化学和物理过程

2.3.1 MG硅生产42

2.3.2冶金精炼过程47

2.3.3 52 -金属提取过程

2.3.4 54固体/液体提取技术

2.3.5最终净化通过定向凝固55

2.3.6太阳级多晶硅生产从纯粹的原材料或通过直接的方式58欧洲杯足球竞彩

2.4氟化过程59

2.5硅生产/精炼与高温Plasmochemical流程61

2.5.1硅生产62年通过等离子体过程

2.5.2 63年通过等离子体硅精炼过程

2.6电化学过程:生产硅碳作为还原剂64

2.7结论68

引用70年

3所示。79年太阳能硅杂质的作用
蒋禄卡Coletti,丹尼尔·麦克唐纳和Deren杨

3.1介绍79

3.2 79年杂质来源和细化

3.3隔离杂质在硅增长86

3.3.1平衡隔离系数86

3.3.2有效分离系数87

3.3.3分布的杂质在硅晶体由于90年种族隔离

92年3.4金属杂质的作用

3.4.1溶解度和扩散率92

3.4.2影响电荷载子94年重组

3.4.3在太阳能电池建模金属杂质的影响

96年业绩

3.5 101年掺杂物的作用

3.5.1 101年补偿硅载体的机动性

3.5.2 103年补偿硅复合

3.5.3 Dopant-Related复合中心105

3.5.4隔离效果在钢锭增长106

3.5.5检测在107年补偿硅掺杂物

108年3.6光元素的作用

3.6.1氧气108

操作碳109

3.6.3氮111

3.6.4锗113

114年3.7到达太阳级多晶硅原料定义

引用118年

4所示。吸气过程和扩展缺陷的作用127
迈克尔·Seibt和维塔利Kveder

4.1介绍127

4.2在130年硅过渡金属杂质的性质

4.2.1过渡金属杂质的溶解度准备131

131年本征硅4.2.1.1溶解度

134年非本征硅4.2.1.2溶解度

4.2.2 136年过渡金属杂质的扩散

4.3采煤工作机制和建模139

4.3.1隔离吸除140

4.3.1.1隔离140年为第二阶段

141年高掺杂n型硅4.3.1.2隔离吸气

142年高掺杂p型硅4.3.1.3隔离吸气

4.3.2放松吸除142

4.3.3喷射吸气142

4.3.4 143年除气动力学建模

4.3.5铝吸气144

4.3.6 Phosphorus-Diffusion吸除146

4.3.7硼扩散吸除149

150年4.4批量过程影响除气效率和动力学

4.1.1 Metal-Silicide沉淀150年

4.4.1.1沉淀成分和错配151株

4.4.1.2 Actvity分会的硅化物沉淀152年

4.4.1.3影响除气动力学152

4.4.1.4 153年沉淀动力学建模

154年10/24/11混乱

4.4.2.1电子结构混乱的155

4.4.2.2载体Decombination 159年混乱

4.4.2.3混乱与过渡金属杂质的相互作用,162年

4.4.2.4错位发光:一个工具来探测采煤工作165年混乱

4.4.3晶界167

4.4.4轻元素杂质和相关缺陷169

4.5采煤工作策略和缺陷工程170

4.6结论173

引用174年

5。189年先进的表征技术
安娜Cavallini,达妮埃拉Cavalcoli和劳拉玉米粥

5.1介绍189

190年5.2表面光电压谱

5.2.1 191年基本原则

5.2.2 SPS设置193

5.2.3氢化纳米晶体硅表面光电压谱(实际:H) 194

5.3光电流光谱196

5.3.1基本原则197

5.3.2光谱光电导性设置199

5.3.3应用光谱光电导性硅和硅设备201

5.4光(光)束感生电流(OBIC或LBIC) 202

5.4.1之前202年光束感应电流方法的基本原则

5.4.2电场和耗尽区范围的确定在204年OBIC粒子探测器

5.5扫描探针显微镜纳米电气特性的半导体光伏应用207

5.6结论210

引用210年

6。215年加工先进分析技术对太阳能级的原料
理查德·s . Hockett

6.1介绍215

6.2审查216年分析技术

6.3 gdm分析光伏Si 222

223年光伏硅6.4 SIMS分析

6.5应用程序的西姆斯和gdm光伏硅原料研究227

6.5.1杂质偏析在227年定向凝固(DS)硅块

6.5.2规范[C], [O]和[N]在太阳级多晶硅原料用于DS 229炉

6.5.3 SIMS能力廉租测量(C、O、B、P) 230

6.5.4在电阻率之间的转换和掺杂剂的问题

在231年高度补偿硅浓度

引用232年

7所示。薄膜沉积过程235
J.K. Rath

7.1介绍235

235年7.2硅薄膜沉积技术

7.2.1标准射频Plasma-Enhanced CVD 236

7.2.2甚高频Plasma-Enhanced CVD 236

7.2.3微波Plasma-Enhanced CVD 237

7.2.4 ETP 237

7.2.5低能Plasma-Enhanced PECVD 238。

7.2.6热线238年心血管疾病

7.3原位239年生长条件的诊断

7.3.1电流:电流电压(我- - - - - -V)调查239

7.3.2光学发射光谱学(OES) 240

7.3.3红外光谱学243

7.3.4椭圆光度法244年

7.3.5离子能量探测器245

7.4挑战的沉积在高增长率和低衬底温度246

7.4.1生长过程模型246

7.4.2不均一的增长250人

7.4.3增长在251年沉积率高

7.4.4硅烷分离效率和损耗标准实际沉积252年

7.4.5低温(LT)沉积254

7.4.6构造演化低温257

7.4.7瞬态等离子体260

7.4.7.1刺激瞬态:电261

7.4.7.2秒范围:集群形成和尘土飞扬的政权261年

7.4.7.3粉尘形成政权的依赖(沉积参数变异)264

7.4.7.4几十秒范围:266气相不稳定

7.4.7.5几百秒范围:270年长期的不稳定

7.5升级到大面积和工业加工:各种制造过程的关键分析270

引用273年

8。287年的薄膜沉积流程建模
卡洛Cavallotti

8.1介绍287

290年8.2模拟等离子体放电

8.3 295年气相和表面动力学建模

297年8.3.1气相动能方案

8.3.2表面动力学计划301人

8.3.3一致的解决方案的等离子体放电和动力学模型:303年理论和例子

8.4 303年薄膜形态演化建模

8.5状态字段和观点的308

引用309年

9。薄膜硅太阳能电池311
J.K. Rath

9.1介绍311

9.2第二代太阳能电池:优势与第一代相比312年

9.3 Drift-Type薄膜硅太阳能电池:314年基质和配置

316年9.4薄膜硅太阳能电池材料注意事项

9.4.1的非晶硅316

老的非晶硅锗317

9.4.3纳米晶体硅317

9.4.4监禁318

9.4.4.1前联系319

9.4.4.2接触320年

321年9.4.4.3增透膜

321年9.4.4.4中间反射器

9.5 321年Drift-Type薄膜硅太阳能电池的现状

9.5.1最近研发的结果在322年薄膜硅太阳能电池

9.5.2工业场景322

9.6技术问题325

9.6.1高熔敷率325

9.6.2薄电池325

327年9.6.2.1中间反射器

328年9.6.2.2光学Thick-Electrically薄

329年9.6.2.3 Plasmonic-Enhanced Backreflection (BR)太阳能电池

329年9.7第三代薄膜硅电池

9.8太阳能电池在331年塑料

9.8.1传输方法331

9.8.2直接沉积332

9.9混合细胞334

9.10工业场景的薄膜硅太阳能电池336

9.11 338年薄膜硅太阳能电池组件制造挑战

引用341年

10。在355年硅光伏应用创新的量子效应
Zhizhong元,阿列克谢Anopchenko和洛伦佐Pavesi

10.1 355年第三代太阳能电池的基本原理

大家需要新一代的太阳能电池355

在356年早期世代10.1.2局限性

357年10.1.3第3代选项

357年10.1.3.1串联太阳能电池

358年10.1.3.2热载流子的太阳能电池

10.1.3.3太阳光谱修改358

359年10.1.3.4 Intermediate-Band太阳能电池

10.1.3.5 Multiple-Exciton代359

359年10.2使用硅纳米晶体的优点

359年Si-NC 10.2.1制造和优势

在360年Si-NCs 10.2.2量子限制效应

10.3应用程序Si-NC的第三代太阳能电池362

362年10.3.1 All-Silicon串联太阳能电池

364年10.3.2热载流子的太阳能电池

10.3.3 Intermediate-Band太阳能电池366

10.3.4多个运营商368年一代

372年10.3.5回游者细胞

10.4 375年挑战和解决方案

10.4.1大小控制375

10.4.2承运人运输376

10.4.3吸收378

380年10.4.4技术约束

10.5结论381

引用382年

指数393年

“这应该是一个很好的参考硅材料的人感兴趣。欧洲杯足球竞彩虽然有很多可用的现有卷在类似的主题,这本书应该是最新的光伏硅。”(能源技术,2013年10月1日)