系列前言十五

前言十七

1介绍硅光子学1

1.1介绍1

1.2超大规模集成:过去、现在和未来的路线图2

1.3在VLSI互连问题3

1.4长途光通信链路4

1.5数据网络7

1.6结论7

1.7 8这本书的范围

2基本性质的硅11

2.1介绍11

2.2带结构12

2.3态密度函数17

2.4杂质19

2.5合金的硅和其他组第四元素21

2.6垂直和乐队阵容23

2.7 Si-Based异质结构24

2.8直接差距:通用电气/ SiGeSn垂直33

3量子结构41

3.1介绍41

3.2量子井41

3.3量子线和量子点48

3.4超晶格50

3.5 Si-Based量子结构52

3.6电场效应56

光学过程61

4.1介绍61

4.2光学常数61

4.3基本概念64

4.4在66年半导体吸收过程

4.5基本吸收66年直接的差距

4.6基本吸收73年间接的差距

4.7 77年吸收和增益

79年4.8 Intervalence带吸收

4.9自由载流子吸收80

82年4.10复合发光

4.11非辐射的复合86

91年4.12激子的和杂质吸收

5在量子光学过程结构97

5.1介绍97

5.2在98年QWs光学过程

5.3 Intersubband转换105

5.4在109年QWs激子的过程

114年5.5电场的影响

5.6在118年QWRs光学过程

5.7量子点的光学过程119

6在123年如果光发射器

6.1介绍123

6.2 124年发光的基本理论

6.3早期的努力:带折叠125

6.4带结构工程使用合金126

6.5量子限制129

6.6在134年硅Imputities

6.7受激发射:139年前景

6.8 Intersubband发射143

6.9 Tensile-Strained通用电气层146

7如果光调节器151

7.1介绍151

7.2物理影响152

7.3在156年硅Electrorefraction

7.4在158年如果热光效应

159年7.5调节器:一些有用的特征

7.6调制带宽下注入160

7.7光学结构161

7.8电气结构164

7.9高带宽调节器168

7.10 170年光电调节器的性能

175硅光电探测器

8.1介绍175

8.2光学检测176

8.3 180年光电探测器的重要特征

187年8.4的例子类型的光电探测器

8.5光敏二极管在192年标准硅技术的例子

8.6在196年标准硅技术光电晶体管

8.7 CMOS和BiCMOS 197

198年8.8绝缘体(SOI)

8.9光电探测器使用异质外延202

拉曼激光219

9.1介绍219

220年9.2拉曼散射:基本概念

222年9.3简化喇曼散射理论

9.4在224年硅喇曼效应

224年9.5拉曼增益系数

9.6连续波激光拉曼228年

9.7进一步发展230

10引导Lightwaves:介绍233

10.1介绍233

233年10.2光射线光学理论指导

234年10.3反射系数

235年10.4平面波导的模式

238年10.5光的波动理论指导

244年10.6三维光波导

10.7在252年波导损耗机制

10.8耦合光学设备257

10.9蜡烛261

11平面波导原理设备267

11.1介绍267

267年11.2模式耦合模型

11.3定向耦合器270

11.4分布式布拉格反射器273

277年11.5一些有用的平面设备

12波导在293年密集波分复用(DWDM)系统

12.1介绍293

12.2 294年awg的结构和操作

12.3美国线规特征297

12.4 300年提高性能的方法

303年美国线规的12.5应用程序

306年12.6 PHASAR-Based设备在不同的材料欧洲杯足球竞彩

12.7中阶梯光栅光栅307

311年13制造技术和材料系统欧洲杯足球竞彩

13.1介绍311

13.2平面处理312

13.3衬底生长和准备312

13.4材料修改318

13.5腐蚀322

13.6光刻326

328年13.7制造波导

331年13.8光栅形成过程

334年1欧洲杯足球竞彩3.9材料波导形成系统

348年问题

引用349年

进一步阅读352

附录A: k。p方法355

附录B:参数值371

指数