选择合适的传感器x射线能量范围

由Dectris有限公司2015年3月4日

DECTRIS为MYTHEN和PILATUS3探测器提供了选择传感器的家庭达到最佳性能在高范围的x射线。

进一步的标准450µm硅传感器,其中包括了林林种种的x射线能量范围,DECTRIS提供硅传感器的厚度1000µm和320µm PILATUS3和MYTHEN。

碲化镉传感器PILATUS3 X集团提供的一系列探测器提高到100 kev能量范围。

特定的应用程序选择合适的传感器

传感器及其厚度需要选择基于典型的x射线能量范围的一个特定的应用程序。DECTRIS表明450µm标准硅传感器在x射线能量低于12.5 kev所有应用程序。

硅传感器将x射线光子转换成电荷。在高能应用程序的情况下,检测效率受到硅传感器厚度。在高能,高能传感器,传感器厚度1000µm补偿硅的吸收效率低。

所有来自DECTRIS硅传感器是基于公司的证明硅技术,并提供DECTRIS探测器的皮拉图斯山和MYTHEN探测器的家庭,从MYTHEN 1 k的皮拉图斯山6米。艾格尔峰探测器提供的标准450µm硅传感器。

实现正确的灵敏度高x射线,1000µm硅传感器表现出改进的量子效率在超过10 kev能量,同时保持DECTRIS探测器的著名的无噪声的操作。1000µm硅传感器提供了一个很好的量子效率的76%和50%分别莫和Ag Ka辐射。高能应用,提高x射线敏感性提供的1000µm传感器是合适的。

DECTRIS低能应用程序提供了320个µm传感器。这些传感器允许最少的能量阈值,和提供特别的低,能量校准和真空解决方案。

量子效率(QE) 320µmµm 450和1000µm传感器作为能量的函数,如图1所示。QR值测定在肺结核实验室贝茜II和精确匹配值推导出计算。在高能量超过10 kev,量化宽松是厚传感器厚度和限制,大幅度提高传感器。

表1提供了量化宽松政策的各种传感器值在通常使用x射线能量。

量子效率为320、450和1000年µm传感器测量在肺结核实验室贝茜II。

图1所示。量子效率为320、450和1000年µm传感器测量在肺结核实验室贝茜II。图片来源:Dectris有限公司

表1。量子效率在典型的x射线

光子的能量	320年µm	450年µm	1000年µm
5.4 keV (Cr)	94%	94%	> 80%
8.0 keV(铜)	97%	98%	96%
12.4 keV (1)	72%	84%	97%
17.5 keV (Mo)	37%	47%	76%
22.2 keV (Ag)	20%	27%	50%

为了直接把硬X射线辐射,PILATUS3 X CdTe探测器系列使用碲化镉(集团)晶体作为传感器材料的硬X射线辐射直接转换。这提供的很好的阻止本领高红移半导体材料(Cd与Z = 48, Te Z = 52),导致在高x射线检测效率高。

CdTe DECTRIS获得的材料从一个领先的制造商可能目前最大的尺寸。两个大CdTe传感器构成每个PILATUS3 CdTe探测器模块和维度的传感器尺寸是42×34毫米,只留下3像素之间的差距。1000年µm CdTe厚度使量子效率高100 kev硬x射线。

1000年的量化宽松政策µm碲化镉传感器如图2和表2作为能量的函数。PILATUS3像素大小和几何形状,量化宽松政策模拟值和确定肺结核实验室从20到60 keV贝茜II。推导出的值模拟经测量。

量子效率PILATUS3 X CdTe模块以肺结核实验室贝茜II。

图2。量子效率PILATUS3 X CdTe模块以肺结核实验室贝茜II。图片来源:Dectris有限公司

QE的下降从上面26 kev是由于荧光发生了光子的能量损失在Cd和Te K-edges之上。量化宽松政策是对能源的量化阈值集光子能量的50%。

表2。量子效率PILATUS3 CdTe传感器。

使用DECTRIS传感器的优点是:

DECTRIS传感器的应用是:

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