用inVia拉曼显微镜分析碳化硅(SiC)

碳化硅在某些应用中优于硅，因为它具有更高的导热率，更宽的带隙，在热和化学上是惰性的，并具有更高的击穿场。这些特性使其在晶体管(jfet, mosfet等)中具有吸引力，用于高温电子器件，以及用于更有效的功率传输的快速高压设备。目前，它被用于一系列领域，包括用于运输解决方案的下一代电力电子。

碳化硅面临的挑战

碳化硅的性能取决于它的晶体结构(它可以有许多多型)、晶体质量以及缺陷的类型和数量。碳化硅原料和器件制造商必须规范和控制这些性能，以提高其成品率。

拉曼光谱的力量

作为控制这些参数的第一步，需要以可量化的方式重复确定这些参数。来自雷尼绍的拉曼系统是这方面的理想解决方案。通过分析从碳化硅散射的激光，可以确定缺陷的质量、晶体形式和性质。

这可以方便、迅速和无损地完成。一个小区域或一个完整的晶片可以被分析，表面和次表面信息都可以在三维显示。

雷尼肖拉曼系统的主要特征

使用的主要好处英国的拉曼系统用于SiC分析的是:

• 可以确定存在的晶型和多型
• 它们的分布可以被揭示
• 可对三维复杂缺陷进行分析
• 可以研究深度剖面、界面和层
• 它既可以用于开发，也可以作为FA、QA工具
• 压力或张力是可以确定的
• 可以测量电子性质，如自由载流子浓度和掺杂水平
• 可以快速绘制大型晶圆

图1 - 6显示了不同应用的拉曼光谱:

图1所示。拉曼光谱可以清晰地区分15R、4H和6H，可以进行详细的高分辨率识别和制图。

图2。高清晰度大晶圆-约1平方毫米拉曼图像显示6h -碳化硅、3c -碳化硅或Si(红色)、空洞(黑色)和应变分布(蓝色到绿色)。

图3。岩心包裹体的三维拉曼图像，显示:3C-SiC包裹体(红色);4H- SiC脱毛剂(绿色);掺杂4H-SiC衬底(蓝色)。样品由日本关西学院大学大谷信教授提供。

图4。缺陷周围的应力区域(灰色)和4H/3C边界。压应力(红色)，拉应力(蓝色)

图5。快速结果-整个2英寸的碳化硅晶片扫描不到30分钟。拉曼图像突出了非均匀性，如掺杂水平的变化和缺陷的存在，如其他多型和外来材料。

图6。高细节见缺陷-“彗星”缺陷，显示掺杂4H-SiC衬底(绿色)，4H-SiC epilayer(蓝色)和3C-SiC包合(红色/橙色)。绘出的面积为70 × 25 × 7µm3。

inVia -理想的拉曼成像工具

图7显示了通过拉曼显微镜．

图7。通过拉曼显微镜

的主要特点inVia是:

• 研究级拉曼显微镜
• 高共焦StreamLineHR™成像，观察微小细节
• 在标准和高共焦成像之间切换的灵活性
• 可以排列测量数据，以最大限度地收集数据
• streamlined™成像技术，用于高速绘图，包括整个晶圆
• 表面选择从不平整的表面获取高质量的图像
• 利用Slalom进行流线成像以获得样品的总体概念

这些信息来源于克雷尼肖-拉曼光谱提供的材料。欧洲杯足球竞彩

有关此来源的更多信息，请访问雷尼肖-拉曼光谱．