高功率双阴极磁控管系统中离子密度的增加

优化的电线处理(IWIT)项目的主要重点是开发和评估新的沉积方法,以实现纤维和线上具有优异物理性质的均匀涂层。使用点源或平面靶标的标准溅射技术的主要限制是无法将大部分溅射物种引入基材上。

研究人员现在提出了一种磁控溅射系统(图1),该系统在高功率脉冲(HIPIMS)模式下工作,可以大量存储金属离子。这些离子可以在室壁找到,并可以连续地用于沉积过程。

这有助于在相对较低的功率输入下保持高水平的自溅射。这种技术提供了具有独特的物理、化学和电学性能的新涂层,包括长化学和机械寿命、高老化质量和良好的机械强度。

实验设置有四个基本平衡的平面磁控管(2”Ti靶),朗缪尔探针,以及用于从大气压引入导线的毛细管系统

图1所示。实验设置有四个基本平衡的平面磁控管(2”Ti靶),朗缪尔探针,以及用于从大气压引入导线的毛细管系统

新沉积技术的目标

在评价新方法和沉积技术时,考虑了以下主要目标:

  • 通过实验数据获取等离子体诊断工具,等离子体建模可以用粒子内(PIC)和蒙特卡罗方法进行。可以通过广泛的等离子体建模和计算来确定体等离子体的最佳特性,包括场分布,密度,几何形状等。
  • 线材智能加工领域取得了新的技术进步。这个项目的主要困难在于将高密度等离子体浓缩在一个长度相对较大的小圆柱体中。

    研究人员的目标是在电线周围制造一种合适的等离子体屏蔽,以同时沉积和植入本构涂层物种。新的等离子体结构有助于提高沉积速率,从而提高处理速度。未来的工作将集中于获得完美的圆柱形等离子体几何形状,以确保整个导线表面的均匀处理。
  • 使用Hiden Analytical ESPion Advanced Langmuir探针进行等离子体诊断。探针插入四个基本平衡的磁控管之间放电体积的中间,以分析hiims等离子体产生的有源阶段的各种功率模式。

    计数设备用于将触发波形转换为单个脉冲,在循环由一个脉冲组成的条件下。在每个循环开始时在放电电压的第一边缘水平之前触发5μs。在这种情况下,探针可以提供125ns的分辨率以确定包括等离子体和浮动电位,电子温度和离子和电子密度的关键等离子体参数。

此信息已采购,审查和调整了Hiden分析提供的材料。欧洲杯足球竞彩

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    针孔分析。(2020年11月02)。高功率双阴极磁控管系统中离子密度的增加。AZoM。于2021年9月4日从//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=12245检索。

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    希登分析》2020。高功率双阴极磁控管系统中离子密度的增加.Azom,于2021年9月4日查看,//www.wireless-io.com/article.aspx?articled=12245。

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