本研究采用高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)在聚酯薄膜上沉积ag纳米粒子,并与直流脉冲磁控溅射(DCMSP)沉积ag纳米粒子薄膜进行比较。
实验结果
最初的结果提供了HIPIMS溅射聚酯(图1)在DCMSP溅射ag -聚酯上灭活大肠杆菌的结果。HIPIMS层明显比DCMSP溅射层薄,这意味着在相同的时间内,HIPIMS对大肠杆菌失活所需的Ag含量更低。
图1所示。HIPIMS结构示意图,阴极为Ag,基材为聚酯
第一个证据是大肠杆菌与DCMSP溅射ag -聚酯相比,hiims溅射聚酯可使细菌失活。HIPIMS层明显比DCMSP溅射层更薄,需要更低的ag负载量来失活大肠杆菌在相同的时间尺度内。在300 mA下DCMSP溅射160s的ag纳米颗粒膜完全失活大肠杆菌2小时内,含0.205% Ag wt%/聚酯wt%。hipims溅射在5安培为75秒导致完成大肠杆菌含Ag 0.031% Ag wt%/聚酯wt%。DCMSP的原子沉积速率为6.2 × 1015个Ag/cm2而HPIMS的速率为2.7x1015 atoms Ag/cm2年代。
图2。透射电镜下的ag -聚酯纤维溅射在5安培150秒
银的电离度+/ Ag)2+和基于“增大化现实”技术+/基于“增大化现实”技术2+与溅射靶电流成正比。正如离子通量组成所显示的那样,这些实验表明,在HIPIMS溅射过程中应用的电流较高端存在相当大的差异。
测定了银聚酯表面碳、银、氧的原子浓度x射线光电子光谱(XPS)。对表面原子浓度进行了跟踪大肠杆菌失活,表示大肠杆菌在银聚酯上的氧化。
x射线衍射研究表明,与HIPIMS溅射的ag团簇相比,DCMSP溅射样品的ag金属特性更长时间,导致ag团簇聚集。与DCMSP溅射的Ag纳米颗粒膜相比,HIPIMS溅射的聚酯表面Ag纳米颗粒膜更薄,Ag含量更低。使用与直流磁控管气室相连的隐藏质谱仪,分析气室中的离子。的基于“增大化现实”技术+,基于“增大化现实”技术2+和Ag)+和Ag)2+离子也进行了表征。
在Ag)+气相增大,Ar+随电流增加而减小。随着电流的增加,Ar+减少,Ag+气相增加。最有趣的结果是,HIPIMS放电在10a的峰值电流产生了大量的银+-离子沿少量银2+离子。
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