用拉曼显微镜分析碳化硅(SiC)

与硅相比，碳化硅具有显着的优点，例如更广泛的带隙，更高的击穿场和更高的导热性。它也是热和化学惰性的。这些属性使碳化硅成为晶体管（JFET和MOSFET等）的理想选择，如高温电子产品，以及高温操作的快速高压装置和更好的动力传输。它还用于运输系统的先进电力电子设备。

碳化硅挑战

碳化硅的性能在很大程度上受晶体中杂质的结构、质量和种类的影响。通过控制这些属性，SiC原料和器件制造商可以提高成品率。欧洲杯足球竞彩

拉曼光谱的力量

为了控制这些参数，首先要对它们进行量化和重复的测量。雷尼肖的拉曼系统是这方面的理想选择。分析从碳化硅中分散出来的激光可以确定晶体质量、形状和缺陷类型。这可以快速、轻松且无损地执行。该分析可以在整个晶片上进行，也可以在很小的区域进行，并可以提供三维的表面和地下数据(图1)。

图1。见地下特征-岩心夹杂物的3D拉曼图像，显示:3C-SiC夹杂物(红色);4 h-sic外延层(绿色);掺杂4H-SiC衬底(蓝色)。样品由日本关西学院大学大谷信教授提供。

Renishaw的拉曼系统可以：

• 确定晶体多晶型物和聚型的存在（图2）
• 揭示他们的分销
• 测定电子性质，如掺杂水平和自由载流子浓度
• 研究深度配置文件，层和界面
• 测量应变/应力（图3）
• 快速绘制大晶圆(图4)
• 在三维中测试复杂的缺陷(图5)
• 用于开发和QA和FA工具

图2。确定存在哪种多晶型物和多晶体 - 拉曼光谱清晰地区分15R，4H和6H，允许详细的高分辨率识别和映射。

心理承受力3。缺陷周围的应力区域(灰色)和4H/3C边界。压应力(红色)，拉应力(蓝色)。

图4。高清晰度大晶圆-约1平方毫米拉曼图像显示6h -碳化硅、3c -碳化硅或Si(红色)、空洞(黑色)和应变分布(蓝色到绿色)。

图5。高细节见缺陷-“彗星”缺陷，显示掺杂4H-SiC衬底(绿色)，4H-SiC epilayer(蓝色)和3C-SiC包合(红色/橙色)。绘出的区域为70 x 25 x 7µm3。

inVia。理想的拉曼组织成像工具

• 这Renishaw Invia拉曼显微镜(图6)为研究级拉曼显微镜
• 它的特点是streamlined™成像技术，用于高速映射，包括整个晶圆
• 流线成像与回转快速概述的样品
• 曲面选项以获得来自不规则表面的最佳图像
• 高共焦StreamLineHR™成像显示小细节
• 将测量值排队以优化数据收集
• 可以很容易地在标准和高共焦成像之间切换

图6。Renishaw Invia拉曼显微镜

Q - 在测量碳化硅（SIC）的特性以及雷尼绍的拉曼系统与替代技术相比如何进行raman技术的研究人员？

不可以。广泛使用其他技术，例如光致发光。然而，拉曼光谱学在多型和压力上提供了更明确的数据。

Renishaw如何开发他们的拉曼系统，为越来越多的应用提供更好的SiC材料?欧洲杯足球竞彩

我们正在开发新技术，如Livetrack焦点跟踪技术，可以分析具有不均匀，弯曲或粗糙表面的样品，例如弯曲的碳化硅晶片。

此信息已采购，从雷尼绍提供的材料进行审核和调整。欧洲杯足球竞彩

有关此来源的更多信息，请访问雷尼绍．