碳在氩气/四氟甲烷(Ar/CF4)和氩气/八氟环丁烷(Ar/c-C4F8)气氛中活性强脉冲磁控溅射合成CFx薄膜

使用正离子质谱法进行等离子体表征

从等离子体和工艺表征中得到的结果与CF的性能相关_X薄膜和AB Initio计算。DFT的计算预测，前体物种最重要的是CF，CF₂，CF._3.C_2，ar / cf混合物中的薄膜生长_4.．用于氩/碳混合物中碳的排放_4.F_8.C₂F₂也被预测是重要的。正离子质谱平均时间的计算结果与理论计算结果基本一致。C的阳离子⁺，AR⁺，CF.⁺，CF.³⁺, CF₂发现+和F +处于丰度（图1A和图1B）。

图1。a)和b):相对离子通量作为放电反应气体分压的函数a) Ar/C_4.F_8.b）AR / CF_4.从相应进程的时间平均iedf中提取。

rHiPIMS的过程表征显示了基于含f反应气体分压的两种沉积过程;在Ar/CF中，当分压高于42 mPa时，电离级联发生_4.等离子体，这导致峰值目标电流上升和CF的形成_4.碎片增加，特别是CF_3.．在C._4.F_8.等离子体在11MPa以上观察到部分压力的电离级联发作，伴随着增加的CF。

两种常规在薄膜特性中相同，主要是硬度，弹性模量和其化学键的结构。CF的机械反应_X薄膜甚至可以与等离子体中大量存在的前体离子相关联。在C._4.F_8.放电，旁边⁺和ar⁺，CF.⁺在美国，发现了大量的物种。CF和CF⁺有三个悬挂的键，帮助在碳矩阵中建立牢固的交联。CF膜沉积_X在C._4.F_8.在更广泛的范围内显示更高的硬度水平（图2）。

图2。CF硬度高于氟含量_X在AR / C中种植的电影_4.F_8.（黑色方块）和AR / CF_4.（红色圆圈）。

另一方面，CF³⁺通过Ar / CF出院_4.被确定为具有很高丰富的物种。有一个债券悬挂在cf中³⁺和它的中性对应物，所以它对生长没有显著的贡献电影交叉连接。

结论

C_4.F_8.对薄膜特性的可控性具有优势，以及CF_4.涵盖各种适用的过程窗口（薄膜沉积和蚀刻）。CF的解离_4.进入主要是CF._3.F可用于表面处理和表面终端，导致表面能量低。结果，CF中的rhipims的过程_4.或C_4.F_8.提供一种在碳的官能化中是通用的工具，以及碳基表面和薄膜。

这些信息已经从Hiden Analytical提供的材料中获得，审查和改编。欧洲杯足球竞彩

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