在《应用物理学杂志》最近发表的一项研究中，来自GLOBALFOUNDRIES公司的一组研究人员利用3D EDS电子断层扫描技术分析半导体材料。欧洲杯足球竞彩虽然目前各种不同的分析技术被用于分析缺陷的存在和半导体的功能，但这些方法在完全阐明这些缺陷的程度和来源方面是有限的。研究人员在这项研究中发现，3D EDS电子断层扫描不仅能够提供半导体的化学成分和微结构的信息，而且能够说明缺陷的完整起源和途径。
半导体器件的透射电子显微镜
透射电子显微镜（TEM）
TEM是一种众所周知的分析技术，通常用于评估纳米级材料的材料的微观结构和化学信息。欧洲杯足球竞彩对于半导体器件分析，TEM能够检测装置的结构内的小变化的存在，例如线宽粗糙度和材料组合物，这两者都可以对半导体的电性能产生显着影响。虽然有用，二维（2D）TEM分析提供的信息不提供关于半导体器件的全部信息。
半导体器件的三维分析
为制造商提供更深入的半导体设备信息的需求促使研究人员转向3D分析技术。例如，利用SEM-FIB双光束进行三维连续切片已被用于这一目的，但由于缺乏提供化学信息的技术，限制了其在新型半导体器件中的适用性。此外，3D原子探针层析成像技术已经被假定为一种可能的分析技术，在原子尺度上提供化学信息，然而，其有限的视野阻止了该技术成为半导体分析的可行选择。
3D EDS元素断层扫描
虽然有各种方法可用于改善电子断层扫描的对比度，例如能量过滤透射电子显微镜（EFTEM）断层扫描，EELS断层扫描和EDS断层扫描，EDS断层扫描通常优于这些其他选项。EDS断层扫描可以应用于几乎所有半导体，因为它是一种易于使用的技术，可以生成几乎任何给定元素的X射线图像。事实上，这种分析方法允许结果在不到半天内完成，这与其他断层技术相比特别有利。
在最近在应用物理学期刊出版的研究中，研究人员利用3D EDS元素断层摄影术来分析镍硅（NISI）半导体，并将其结果与传统的TEM分析进行比较。他们发现，与使用TEM技术相比，它们能够获得关于半导体内存的缺陷的存在和意义的额外深度信息。在其结果中，研究人员不仅可以发现缺陷的存在，还能够发现其作为氧化硅颗粒的来源，其阻断NISI的形成，并且最终在后来加工期间最终用氮化硅覆盖。本文的涵盖限制了其在TEM中的检测，然而，3D EDS电子断层扫描技术能够测量其在材料内的完整寿命。
虽然这种分析技术的好处是显而易见的，但使用3D EDS电子断层扫描技术研究半导体仍然存在一定的局限性。这些限制包括“缺失的楔形”伪象，这是由于不能倾斜样品超过180度范围，这是半导体样品通常需要的。此外，在这种层析技术中，EDS检测器也可能在阶段倾斜时被样品阻挡，这也限制了检测器在分析时的配置。
综上所述，本研究结果表明，三维EDS元素层析成像技术在半导体材料分析中的应用为各种探测器的几何结构提供了有用的信息。欧洲杯足球竞彩
参考：
“半导体器件的3D分析：3D成像和3D元素分析的组合”B.Fu＆M.Gribelyuk“。应用物理学杂志。（2018）。DOI: 10.1063/1.5010186。
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