由于他们在固态照明和平板显示器中的有希望的应用，有机发光二极管吸引了大量的兴趣。OLED由位于两个电极之间的有机材料组成，响应电流发光;其中一个电极通常是透明的。两件事对OLED的性能至关重要 - 该有机薄膜的组成化学及其与电极界面的化学特性。本文介绍沉积在氧化铟锡上的OLED层的组成变化。将通过新型材料掺杂的Tris（4-咔唑-9-基苯基）胺沉积在ITO上至约150nm的厚度，如椭圆形测定法所表征。
集群模式中的气体聚类离子源（GCIS）用于进行深度分析。目前，氩簇常规地取代了单声道氩，以减少精细有机分析物的表面损伤1。在每个蚀刻循环之前和之后，获得XP光谱以查看关于表面的化学和元素状态的定量变化。用UPS同时检查材料的HOMO电子状态和工作功能。
对于现代分析，在样品上执行多个分析技术更适合否定样品处理和治疗的变量，并帮助直接比较数据。使用轴上的自动化方法Supra，可以在采集期间无干预创建多技术实验。本文通过深度分析OLED设备顺序地逐行逐步逐步逐步划分，而无需气体处理或手动干预。
结果
在介绍分析室后，在软件中选择了XPS / UPS / GCIS深度分析方法轴同上。在每个蚀刻循环之前和之间获得UPS和XPS光谱。对于这个样品，5 kV ar1000+是所选择的蚀刻条件，典型的精致聚合物材料。欧洲杯足球竞彩获取测量光谱，最终获得了相对深度曲线（图1）。可以观察到，N，O和C的表面浓度最初在第一蚀刻之后和随后在蚀刻后的浓度通过大部分材料保持稳定状态。
在界面处，观察到与有机元素快速降低的基底材料的锡和铟增加。该组合物进化到ITO的预期化学计量比。利用这种多模式方法，可以直接将UPS光谱结构与表面组成和相对深度进入薄膜。图2示出了作为蚀刻的函数的表面的同色状态的演变 - 光谱偏心，以便清楚起见，垂直于垂直于垂直的表面。
在完成第一蚀刻循环时，在9.25eV，6.93eV和4.01eV表示OLED材料的不同密度，有3个不同的特征。这些功能继续恒定，直到达到界面存在突然发生分布时。两个更高的能量特征在于倾斜梯度的显着增加，下降到同性恋边缘点。这种变化不断地保持在ITO基板中。每个蚀刻循环的摄影的变化如图3所示。首先，记录了4.35eV的表面。在第一蚀刻循环之后，这降至4.26eV，并继续使用每个循环略微减少。对于批量ITO，该值在界面处减少到3.9eV。
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图1。5 kV Ar.1000+薄膜的深度曲线。
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图2。薄膜的HOMO区域（光谱用蚀刻循环垂直偏移）。
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图3。截止区域（光谱用蚀刻循环垂直偏移）。
结论
本文演示了如何运行规定的方法来执行XPS-UPS.使用氩簇离子的新型有机电子器件的深度配置文件。该方法使用户能够直接比较电子字符的变化以及在UPS光谱中看到的表面组成的变化。规定的方法是自动化的，需要通过分析师进行零手动或计算干预。它是真正的'点击和去'连字符技术。
致谢
作者记录了他对Pusan大学提供样品制备和仪器时间的感谢。
参考和进一步阅读
- A. G. Shard，S. Ray，M. P. Seah，L. Yang，Surf。界面肛门。2011,43,1240-1250。DOI 10.1002 / SIA.3705
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