英特尔推出最先进的芯片生产过程 - 新闻项目

Intel Corp.已经拥有最先进的半导体制造过程，刚才揭开了更多的技术突破，他们计划明年融入体积制造。

使用新的90nm过程，他们将在一个芯片中汇集几种技术。这些包括更高的性能，较低功率晶体管，应变硅，高速铜互连和新的低k介电材料。

新过程还具有50nm晶体管，最小的，在生产中最小的CMOS晶体管。最小的目前可用的是60nm，也是由英特尔制造的，并在它们的奔腾处理器中使用。微小晶体管仅具有5个原子层或1.2nm厚的栅极氧化物。栅极氧化物的低厚度增加了晶体管速度。这些小型快速晶体管是高性能处理器的构建块。

使用应变硅，电流更平滑地流动，还有助于提高晶体管速度，这将是第一次材料将在商业应用中使用。

一种新的碳掺杂氧化物为铜互连提供了一种用于增加芯片内的信号速度以及降低功耗的铜互连提供了一种新的低k介电材料。使用简单的两层堆叠设计，电介质非常易于制造。

新的90nm过程是130nm过程的下一步，许多芯片制造商只能拥抱。英特尔的新过程也是显着的，因为它们从200mm晶片（130nm过程的规范）移动到300mm晶片，为90nm过程。

它还负责在52兆比特生产世界上最高容量的SRAM芯片。这些芯片包含3.3亿晶体管，进入仅109毫米的面积²，类似于人的指甲的大小。

所有这些过程的开发将导致最快的芯片可用，同时在竞争激烈的市场中降低制造成本。

发表于8月13日^钍，2002年