使用RF GDOES进行氘和氢的测量

RF GDOES通常用于薄膜和厚膜的非常快的元素深度分析。可以测量所有元素，包括氢气（H），这在许多领域是必要的，例如腐蚀研究¹，对于pv.²，在冶金中^3.，用于开发储氢材料欧洲杯足球竞彩^4.以及所有聚合物涂层研究^5.。

最敏感的H排放线为121,567 nm，在VUV范围内。

虽然MS光谱法用于同位素分离，但是H可以在具有足够分辨率的光学光谱仪中与其同位素氘（D）分离：H和D的两个排放线分别为121,567nm和121,534nm，分别分开30微米花。

D型材可用于遇到遇到等离子体的组件的融合研究^6.在腐蚀研究中^7.。

仪表

在其最敏感的波长下测量H和D需要非常有效的光谱仪。这是可以使用专用的Horiba科学光栅。光栅在2个衍射中有效，允许用2个硬化探测器同时测量H和D.

Ta（h）Ti（d）/ ni分层结构中的H，D，Ta，Ti和Ni的深度剖视图（从REF 6）

溶胶凝胶聚合物涂层

血浆清洁

在GD操作中不植入样品在真空室中，因此表面污染始终存在。因此，D型型在腐蚀性研究中是优选的，因为它没有模糊性，而H可能导致腐蚀或表面污染。

下面的示例显示了使用植入H的Si样本的深度分布。

使用等离子清洁操作可以最小化表面H.^8.是Horiba仪器中的标准操作，于2009年首次介绍。它将样品暴露于等离子体，其能量非常低（通常小于3W，脉冲操作模式，诱导溅射），但足够活跃以诱导表面解吸样品。

等离子体清洁条件

N.Pudiilina在第7天确实显示了在足够优化等离子体清洁后获得的Ti样品中的H校准。

H在界面

如果表面处的H可以与表面污染有关，则界面处的H峰可以与残留层的存在或样品中的空隙连接。以下将GD谱与H峰与带空隙的TEM横截面相关联的GD曲线。

H检测。存在空隙。

参考资料和进一步阅读

1. Marie Dumerval等，“与加压水反应器主要介质中316L不锈钢腐蚀机制相关的”氢吸收“（PWR）”腐蚀科学欧洲杯线上买球http://dx.doi.org/10.1016/j.corsci.2014.04.025
2. S. Gaiaschi等人。“通过射频等离子体沉积的氢化微晶硅 - 碳合金的结构性能增强化学气相沉积：微晶硅种子层和甲烷流速”薄实心膜550（2014）312-318的效果。
3. F. cemin等。“在氢化碳化硅（SICX：H）中间层性质促使钢上沉积在钢上沉积的氢化无定形碳（A-C：H）的粘附性”真空10.1016 / J.Vacuum.2014.07.015。
4. V.Nenotek等。“Mg-Ni-MM（MM [模糊）合金的电化学水化为氢气储存的有效方法”国际氢能量38（2013）3030-3040。
5. V. Moutarlier等。“发光放电光发射光谱：互补技术分析薄电沉积的聚苯胺薄膜”薄的实体膜550（2014）27-35。
6. Y. Hatano等人。“通过辉光放电光发射光谱法”测量氘和氦气，用于等离子体表面相互作用研究“融合工程与设计DOI：10.1016 / J.Fusengdes.2012.02.078。
7. H. Nakamura等。“高温重水下氧化金属界面的”氘行为“融合工程与设计DOI：10.1016 / J.Fusengdes.2012.02.044。
8. Igor Molchan等人。“辉光放电光谱法”血浆清洁概念“JAAS J.肛门。在。光谱。，2009,24,734-741。

此信息已采购，从Horiba Scientific提供的材料审核和调整。欧洲杯足球竞彩

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