GFET芯片提供科学家直接进入最新的石墨烯设备。这通过消除从头开始开发GFET来支持应用程序驱动的研究。每个芯片包括36个单独的GFET,分布在独特的图案-06-2555:网格图案;06-2560:象限模式。
特征
- 每芯片36个单独的GFET
- 设备未封装为客户的功能化准备
- 司司能量通常超过1000厘米2/d
- 新传感器研究与开发的理想平台装置
应用程序
- 石墨烯设备研究
- 生物电子学
- 化学传感器
- 磁传感器
- 生物传感器
- 光电探测器
典型的规格
。 |
。 |
芯片尺寸 |
10 mm x 10 mm |
芯片厚度 |
675μm. |
每芯片的GFET数量 |
36. |
栅氧化物厚度 |
90 nm. |
栅氧化物材料 |
SiO.2 |
底物的电阻率 |
1-10Ω.cm. |
金属化 |
镍/铝140nm |
石墨烯场效应移动性 |
> 1000厘米2/d |
残余电荷载体密度 |
<2 x 1012.厘米-2 |
DIRAC POINT. |
10-40 V. |
屈服 |
> 75% |
设备横截面
典型特征
输出曲线(左)和在源极 - 漏极电压下测量的传输曲线为20mV(右),在室温下测量,在具有W = L =50μm的装置上的真空条件下测量。
绝对最大额定值
。 |
。 |
最大栅极源电压 |
±50 V. |
最高温度等级 |
150℃ |
最大漏极源电流密度 |
107 A.cm.-2 |
06-2555:GFET芯片网格图案
06-2560:GFET芯片 - 象限模式
通道几何形状
描述 |
w(μm) |
L1(μm) |
L2(μm) |
数量 |
标准 |
50. |
30. |
50. |
12. |
不同的宽度 |
10. |
30. |
50. |
1 |
20. |
1 |
30. |
1 |
40 |
1 |
100. |
1 |
200. |
1 |
大广场 |
100. |
80 |
100. |
3. |
200. |
180. |
200. |
3. |
不同的长度 |
50. |
10. |
30. |
1 |
20. |
40 |
1 |
40 |
60. |
1 |
50. |
70 |
1 |
80 |
100. |
1 |
180. |
200. |
1 |
小2探针 |
5. |
5. |
- |
3. |
10. |
10. |
- |
3. |
设备编号 |
w(μm) |
L(μm) |
1 |
50. |
50. |
2 |
3. |
4. |
5. |
6. |
10. |
10. |
7. |
8. |
100. |
100. |
9. |
此信息已采购,审查和改编,由睾丸化学品提供的材料。欧洲杯足球竞彩
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