石墨烯场效应晶体管(GFET)芯片的指南

GFET芯片提供科学家直接进入最新的石墨烯设备。这通过消除从头开始开发GFET来支持应用程序驱动的研究。每个芯片包括36个单独的GFET,分布在独特的图案-06-2555:网格图案;06-2560:象限模式。

特征

  • 每芯片36个单独的GFET
  • 设备未封装为客户的功能化准备
  • 司司能量通常超过1000厘米2/d
  • 新传感器研究与开发的理想平台装置

应用程序

  • 石墨烯设备研究
  • 生物电子学
  • 化学传感器
  • 磁传感器
  • 生物传感器
  • 光电探测器

典型的规格

芯片尺寸 10 mm x 10 mm
芯片厚度 675μm.
每芯片的GFET数量 36.
栅氧化物厚度 90 nm.
栅氧化物材料 SiO.2
底物的电阻率 1-10Ω.cm.
金属化 镍/铝140nm
石墨烯场效应移动性 > 1000厘米2/d
残余电荷载体密度 <2 x 1012.厘米-2
DIRAC POINT. 10-40 V.
屈服 > 75%

设备横截面

设备横截面

典型特征

输出曲线(左)和在源极 - 漏极电压下测量的传输曲线为20mV(右),在室温下测量,在具有W = L =50μm的装置上的真空条件下测量。

输出曲线(左)和在源极 - 漏极电压下测量的传输曲线为20mV(右),在室温下测量,在具有W = L =50μm的装置上的真空条件下测量。

绝对最大额定值

最大栅极源电压 ±50 V.
最高温度等级 150℃
最大漏极源电流密度 107 A.cm.-2

06-2555:GFET芯片网格图案

06-2555:GFET芯片网格图案

06-2560:GFET芯片 - 象限模式

06-2560:GFET芯片 - 象限模式

通道几何形状

描述 w(μm) L1(μm) L2(μm) 数量
标准 50. 30. 50. 12.
不同的宽度 10. 30. 50. 1
20. 1
30. 1
40 1
100. 1
200. 1
大广场 100. 80 100. 3.
200. 180. 200. 3.
不同的长度 50. 10. 30. 1
20. 40 1
40 60. 1
50. 70 1
80 100. 1
180. 200. 1
小2探针 5. 5. - 3.
10. 10. - 3.

设备编号 w(μm) L(μm)
1 50. 50.
2
3.
4.
5.
6. 10. 10.
7.
8. 100. 100.
9.

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引用

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