石墨烯场效应晶体管（GFET）芯片的指南

GFET芯片提供科学家直接进入最新的石墨烯设备。这通过消除从头开始开发GFET来支持应用程序驱动的研究。每个芯片包括36个单独的GFET，分布在独特的图案-06-2555：网格图案;06-2560：象限模式。

特征

• 复杂的GFET.利用石墨膜建立的持续高质量的石墨烯

• 每芯片36个单独的GFET
• 设备未封装为客户的功能化准备
• 司司能量通常超过1000厘米²/d
• 新传感器研究与开发的理想平台装置

应用程序

• 石墨烯设备研究
• 生物电子学
• 化学传感器
• 磁传感器
• 生物传感器
• 光电探测器

典型的规格

。	。
芯片尺寸	10 mm x 10 mm
芯片厚度	675μm.
每芯片的GFET数量	36.
栅氧化物厚度	90 nm.
栅氧化物材料	SiO.2
底物的电阻率	1-10Ω.cm.
金属化	镍/铝140nm
石墨烯场效应移动性	> 1000厘米2/d
残余电荷载体密度	<2 x 1012.厘米-2
DIRAC POINT.	10-40 V.
屈服	> 75％

设备横截面

典型特征

输出曲线（左）和在源极 - 漏极电压下测量的传输曲线为20mV（右），在室温下测量，在具有W = L =50μm的装置上的真空条件下测量。

绝对最大额定值

。	。
最大栅极源电压	±50 V.
最高温度等级	150℃
最大漏极源电流密度	107 A.cm.-2

06-2555：GFET芯片网格图案

06-2560：GFET芯片 - 象限模式

通道几何形状

描述	w（μm）	L1（μm）	L2（μm）	数量
标准	50.	30.	50.	12.
不同的宽度	10.	30.	50.	1
	20.			1
	30.			1
	40			1
	100.			1
	200.			1
大广场	100.	80	100.	3.
	200.	180.	200.	3.
不同的长度	50.	10.	30.	1
		20.	40	1
		40	60.	1
		50.	70	1
		80	100.	1
		180.	200.	1
小2探针	5.	5.	-	3.
	10.	10.	-	3.

设备编号	w（μm）	L（μm）
1	50.	50.
2
3.
4.
5.
6.	10.	10.
7.
8.	100.	100.
9.

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