铁电薄膜如何用作计算机存储器

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有几种计算机内存并具有其缺点，这就是为什么现代计算机技术使用多种内存。

世界各地的计算机研究人员正在努力创建更好的数据存储设备，黄金标准是一个“通用”存储器设备，具有RAM的QUACK，硬盘的存储空间和闪存驱动器的稳定性。

基于铁电薄膜的非易失性存储器是目前在研究阶段的一个有希望的发展。基于铁电薄膜的存储器通过基于残余极化电荷存储外部施加电场的方向的存储器件。

薄膜铁电器已被用于制造一段时间内存装置。大约十年前，在钙钛矿的超薄单晶膜中证明铁电性质后提出了这种计算机存储器的概念。实施技术的主要挑战是制造具有足够高的数据存储密度的系统，因此在微小区域上存储高存储容量。由于它们是与标准微电子的生产过程“不相容”的材料形式的制造，所采用铁电器也受到阻碍。欧洲杯足球竞彩

铁电材料主要是不进行电力的绝欧洲杯足球竞彩缘体。然而，如果材料层非常薄，由于称为量子隧道的现象，电子可以通过设定概率“通过”。隧道的可能性取决于潜在屏障的尺寸和形状（结构的能量质量），其恰好是建立隧道电流的电子。

用铁电薄膜存储信息

在铁电隧道结中，可以通过将电压与超薄铁电耦合到电极来写入数据，并且可以通过确定隧道电流来读取它。从理论上讲，这种记忆应该具有令人难以置信的高密度，快速阅读和写入速度，以及低功率使用程度。它可能成为传统DRAM（动态随机存取存储器）技术的非易失性替代品。

现代DRAM具有相对短的保留时间，之后信息必须丢失或覆盖，因此，DRAM技术需要相对大量的功率。在铁电隧道交界处创建的记忆力将能够节省大部分功率，这对便携式电子设备具有重要价值。然而，直到最近，由于生产过程，铁电器尚未与基于硅的技术兼容。

在一个2016年研究，科学家们描述了能够在硅衬底上保留铁电质量的多晶合金薄膜的产生。通过原子层沉积（ALD）开发了薄膜，其目前广泛用于制造微处理器。

ALD的明确福利之一是它允许在三维结构中创建功能层。由于该研究中使用的材料的结构适用于硅技术，因此研究的新的非易失性存储器氧化铁的铁电多晶片片可以直接放置在硅上，研究者背后的科学家说。

在一个2017年研究，研究人员宣布了铁电薄膜器件前进的另一个重大步骤：创建灵活的存储器件。

该研究描述了一种在低温范围内产生铁电薄膜的新方法，并将它们用碳基有机半导体与时尚高度柔性的存储装置一起结合。新设备平台能够与其他灵活的电子技术集成。

我们使用Hafnia薄膜制成低压，非易失性的垂直有机晶体管。这种细节水平仅适用于电气工程领域的细节。对于其他人来说，这意味着这是具有非常真实的应用程序的实际发现。

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该研究表明，由团队开发的全功能原型保留了其功能，即使在该研究中达到了1,000次。

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