电子元器件失效分析与质量控制

可以难以为质量控制或故障分析截断电子元件。这是因为有必要谨慎确保没有准备诱导的工件的情况下揭示了真实结构。传统上,使用对样品造成很大损害的切片过程。这些可以诱导伪像,这可以很容易被误解为服务故障或制造缺陷。为了避免这种情况,有必要在远离感兴趣区域(ROI)的情况下进行切片。另外,需要长抛光和研磨阶段以回收诱导损伤。

背景

在过去,四种最常见的切片方法是通过路由器,冲床,带锯和精密锯。这些方法各有优缺点。冲床和压力机虽然速度快,但受贴片尺寸的限制,容易对多层板造成显著的变形应变。

虽然路由器和带锯可以用来处理不同尺寸的部件,但它们会产生热量,对填充板具有攻击性,并对多层板造成剪切应变。通过精确切割可以显著减少损伤,但是这种方法受到板的尺寸的限制,传统上与上面讨论的其他方法相比,需要更慢的切割零件。

解决方案

精密锯制造的技术进步使得较大的填充或未植入的板上的快速切断。增加的X,Y和Z轴运动,更高的扭矩电动机和更大的切割室容量,在处理样品时允许增加灵活性。组合自动化的三轴运动,大开放式工作区,2 kW电机,激光对准,用于视觉确认切割,以及储存的方法,ISOST高速PRO如图1所示。

如果要进行常规工作,可以使用存储方法来确保在相同的ROI下进行切割。

如果要进行常规工作,可以使用存储方法来确保在相同的ROI下进行切割。

图1。如果要进行常规工作,可以使用存储方法来确保在相同的ROI下进行切割。

图片来源:比勒

例子

为了确定由不同的切片方法引起的损伤,制作了12层MIL-SPEC无填充板的截面。为了确保在制备过程中保持良好的边缘保留,如图2所示,将每个贴片都浇铸在EpoKwick FC中。

EpoKwick FC环氧树脂提供优良的边缘保持,低收缩和低粘度。这确保了在研磨和抛光步骤中没有由于样品制备而导致的板层分层。

图2。EpoKwick FC环氧树脂提供优良的边缘保持,低收缩和低粘度。这确保了在研磨和抛光步骤中没有由于样品制备而导致的板层分层。

图片来源:比勒

如下图所示,使用通用电子元件标准SumMet方法制备样品。这可以在比勒网站的“解决方案”页面下找到。

为了便于检查每一种切片方法留下的表面——以及诱发的亚表面损伤,然后对样品进行垂直于切片边缘的研磨和抛光。

图3-6显示了样本的照片和测量,其显示通过去除引起的损伤。

方法

切片方法可以诱导损坏板材。因此,它们随后需要研磨和抛光步骤以除去。根据选择哪些设备进行拆卸,损坏可以超过2020欧洲杯下注官网2.5毫米,需要操作员“研磨和查找”,以确保未改变材料的启示。当以这种方式删除时,样品可能会变得不均匀,或者如果仔细采样,他们可以超越投资回报率。精密锯,如ISOME高速PRO可以确保它们在不诱导损坏的情况下靠近ROI。

带锯切片造成的损坏。

带锯切片造成的损坏。*注意板开裂垂直于层,分层延伸~1500微米(1.5 mm)从切割边缘。玻璃纤维切削距离前缘2500微米(2.5毫米)。

图3。带锯切片造成的损坏。
*注意板开裂垂直于层,分层延伸~1500微米(1.5 mm)从切割边缘。玻璃纤维切削距离前缘2500微米(2.5毫米)。

图片来源:比勒

冲头和模切损坏。*注意板在最后4层内分层,扭曲铜层延伸~1200微米(1.2 mm)从切割边缘。玻璃纤维切屑记录在1600微米(1.6毫米)从前缘。

图4。冲头和模切损坏。
*注意板在最后4层内分层,扭曲铜层延伸~1200微米(1.2 mm)从切割边缘。玻璃纤维切屑记录在1600微米(1.6毫米)从前缘。

图片来源:比勒

路由器切片损坏。*注意铜层变形和最后两层轻微的分层,玻璃束剥落从切割边缘延伸~400微米(0.4 mm)。

图5。路由器切片损坏。
*注意铜层变形和最后两层轻微的分层,玻璃束剥落从切割边缘延伸~400微米(0.4 mm)。

图片来源:比勒

IsoMet高速切片损坏IsoMet 15HC刀片。*注意铜和板层是平行的,很少损害玻璃束。从切口边缘延伸到20微米(0.02毫米)的损伤。

图6。IsoMet高速切片损坏IsoMet 15HC刀片。
*注意铜和板层是平行的,很少损害玻璃束。从切口边缘延伸到20微米(0.02毫米)的损伤。

图片来源:比勒

这些信息已经从比勒提供的材料中获得、审查和改编。欧洲杯足球竞彩

有关此来源的更多信息,请访问比勒。

引用

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  • 美国心理学协会

    比勒。(2021年2月01日)。电子元件的故障分析和QC。Azom。从10月19日,2021年10月19日从//www.wireless-io.com/article.aspx?articled=17068中检索。

  • MLA.

    比勒。“电子元件的故障分析和QC”。Azom..2021年10月19日。< //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=17068 >。

  • 芝加哥

    比勒。“电子元件的故障分析和QC”。Azom。//www.wireless-io.com/article.aspx?articled=17068。(访问2021年10月19日)。

  • 哈佛

    比勒。2021。电子元器件失效分析与质量控制.viewed september 21, //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=17068。

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