物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)是两种用于在基片上产生一层非常薄的材料，即薄膜的过程。
气相沉积技术是制备薄膜的首选工艺，因为该技术生产的产品具有较高的硬度、耐磨性、光洁度和抗氧化性。通过气相沉积制成的薄膜通常能够在独特的高应力环境下工作。
无论它是通过CVD还是PVD产生的，其结果都非常相似，因为这两种过程都会产生所需厚度的非常薄的材料层。CVD和PVD是非常广泛的技术类别。不同的CVD和PVD过程可能有很大的不同;然而，目标是相同的。由于各种各样的原因，有些解决方案可能比其他方案更受欢迎，比如成本和易用性。
PVD和CVD主要用于制造半导体，其中使用非常薄的n型和p型材料层来创建所需的结构连接。这两个过程的根本区别在于它们处理同一任务的方法。欧洲杯足球竞彩
物理气相沉积
顾名思义，PVD是一种主要使用物理手段沉积薄层材料的技术。PVD涉及在高温真空条件下执行的许多步骤。首先，固体前体材料通常通过使用高功率电力或激光进行气化。然后将气化的原子移动到反应室中，涂层基材位于反应室中。然后，源材料原子粘附在基底上，形成一层薄薄的涂层。
PVD是一种用于沉积的方法，可以产生一种极其坚硬、耐腐蚀的涂层。PVD制备的薄膜耐高温、耐烧蚀性好。PVD也被认为是一种环境友好的过程。
这个过程也有一些缺点。它的一个主要缺点是成本高，部分原因是需要大量的加热和冷却。PVD也是一种“视线”技术，这意味着它不是理想的涂层不可见的表面。这个过程也被认为是相对缓慢的。
化学气相沉积
与PVD类似，CVD用于生产高纯度的专用薄涂层，CVD涉及将源材料与一个或多个作为载体设备的挥发性前驱体混合。
这些前体通常是卤化物或氢化物，它们在化学上相互作用并分解源材料。众所周知，整个CVD过程会产生挥发性副产物，必须通过流经反应室的气流安全地去除这些副产物。
一旦产生，源材料通过强制对流被输送到包含衬底的反应室。通过扩散过程，反应物沉积在基片上。当混合物粘附在基片上后，前驱体最终分解，并被扩散除去，在基片上留下所需的源材料层。利用热、等离子体或各种技术可以促进或加速分解过程。
使用CVD的最大优点之一是，它可以均匀地涂覆不规则表面，包括螺纹和凹槽。这个过程也是非常多功能的；它已被用于极为广泛的元素和化合物。化学气相沉积（CVD）也能产生纯度和密度都很高的薄膜。由于可以同时对多个零件进行涂层，因此CVD是一种相对经济的沉积工艺。
CVD已广泛应用于各个行业。一些组织使用它来涂覆耐磨性和温度保护涂层。其他人用它来生产电子设备的半导体。CVD也被用于制造致密的结构零件，这些零件很难用传统技术制造或成本过高。
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