GaAs的准备

由...赞助TED Pella，Inc。2018年12月21日

主要方法

1.切割盖板滑动玻璃与GaAs设备区域相同的尺寸。

2.环氧玻璃盖滑到GaAs装置的顶表面（器件侧）。

*在样品夹的帮助下减少环氧界面
*利用最低可能数量的环氧树脂

3.将盖板滑动抛光存根的Slivive Epoxy GaAs装置，占用2-4mm悬垂。

*利用最低可能数量的环氧树脂

4.使用15μm开始抛光金刚石拍膜。利用上述图示作为每个磨料尺寸的抛光止动件。抛光压板速度需要为50-60 rpm，抛光方向应与样品界面共同延伸。

5。进行最终抛光在Multityx上使用CS1胶体二氧化硅^TM值布10-15分钟。抛光盘的速度需要50-60 RPM，抛光方向应该垂直于样品界面，从砷化镓装置的底部开始朝向玻璃覆盖滑移。

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美国心理学协会
TED Pella，Inc ..（2019年9月27日）。GaAs的制备。Azom。从//www.wireless-io.com/article.aspx?articled=17390从//www.wireless-io.com/103。
MLA.
Ted Pella，Inc ..“GaAs的制备”。氮杂．2021年7月3日。< //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=17390 >。
芝加哥
Ted Pella，Inc ..“GaAs的制备”。Azom。//www.wireless-io.com/article.aspx？articled=17390。（访问03,2021年7月）。
哈佛
TED Pella，Inc .. 2019。GaAs的准备．AZoM, 2021年7月3日观看，//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=17390。