使用Omniprobe 400准备快速背面变薄的TEM薄片

窗帘是使用聚焦离子束（FIB）方法制备TEM薄片时遇到的常见问题。晶体是样品不均匀变薄的结果，并将其自身呈现为样品边缘的粗糙度。这种效果会影响以下分析的质量和所拍摄的图像的质量。

当样品是异质的时，通常存在屏幕，即由不同的材料制成，因为这可能导致可变变薄率。欧洲杯足球竞彩本文将探讨使用OmniProbe 400纳米罐的旋转功能改变样品的离子束稀疏/抛光方向来减小差异。

当样品由一种缓慢研磨的硬材料组成，在一种快速研磨的软材料上面或里面时，帘幕就达到了最极端的程度。这在半导体失效分析中经常出现，尽管在许多其他应用中也存在。在这些情况下，最佳的铣削几何是从样品的前面细化(背面细化)。

这篇文章将展示如何在背后细化，使用OmniProbe 400纳米操纵器和OmniPivot支架，可用于防止窗帘。本文还将演示如何通过评估使用阿兹特克的机器中的薄片质量来节省时间^®dayserprobe。

样品制备

为了执行后侧稀疏，必须执行多个步骤（图1），随着TEM网格的重新定位和探头的旋转是最重要的部分。

图1所示。在生产后侧薄膜薄片的步骤。通过常规研磨（A）制备薄片，然后将样品旋转（B），薄片抬起（C）。通过旋转探针，相对于离子束（D）相对于离子束（D）成角度为90°。通过将电网枢转至90º来实现完整的180º旋转，这允许背面变薄（E）并去除窗帘（F）。重要的是要注意，所使用的旋转取决于探头取出角度（TOA），并且给定仪器有多种组合。

这全普罗贝400.是端口安装，这意味着它有一个恒定的机械手起飞角度，允许所需的探头旋转来确定。此外，探针的计算机心旋转意味着旋转可以迅速而无问题地进行。

TEM网格可以使用OmniPivot网格支架重新定位，这降低了与直接操作网格相关的风险。

先进的变薄

图1中所示的样本是3D NAND闪存设备，例如商业固态硬盘驱动器中的那些，其具有嵌入硅衬底中的字母和W狭缝。对照样品也从相同的铣削参数中使用常规方法稀释的相同装置取出。图2比较了两个样品的薄片，证明了背面变薄的益处。

图2。(a)通过常规稀释，将3D NAND Flash设备制备的样品取出。在Si矩阵中测量到的厚度剖面L1显示出巨大的、突然的厚度变化;(b)使用相同FIB条件的相同设备的背面减薄提升装置。从Si基体中提取的厚度剖面L2显示出平滑、均匀的薄片厚度。

使用AZTEC层百倍测定硅衬底的厚度，并且该值用于确定稀疏的程度。该过程通过EDS进行并在研磨步骤之间重复，用于确定厚度的EDS点。

观察到使用常规方法制备的薄片具有约60nm的随机厚度变化，而使用后侧稀入制备的样品具有光滑的表面，没有随机变化。

结论

在失效分析中，为TEM分析生成薄片是一个限速步骤，因为可能需要多个fib来支持一个TEM系统。

本文表明，使用薄片的快速背面变薄使用OmniProbe 400纳米操纵器和OmniPivot holder。该过程可以使用AZtec LayerProbe进行监控，以确定片层厚度，确保片层在TEM分析前具有足够的质量。

这些信息已经从牛津仪器纳米分析提供的材料中获得，审查和改编。欧洲杯足球竞彩

有关此来源的更多信息，请访问牛津仪器纳米分析。