测试硅晶片纯度和效率的指南

在能源行业内，基于硅的技术始终发挥关键作用。他们目前主导着太阳能市场，拥有超过90％的市场份额。

另外，硅（例如，通过硅晶体生长方法和提高效率，纯度等）的持续进步在不久的将来将其在能源行业内的强大位置巩固。

对于技术，科学和工程工作，建立半导体材料的热扩散性和导热率至关重要。欧洲杯足球竞彩太阳能行业的驱动器是提高产生的光伏模块的效率。能够建立这些值至关重要，因为较高的效率是导热率提高的直接函数。

对于此示例，使用LFA 457 MicroFlash.^®，测量0.7mm厚的硅晶片的热理性质（图1）。导热率和热扩散率在-100℃至500℃的温度范围内连续降低。通过使用差示扫描量热法建立比热容（DSC 204 F1凤凰^®）。数据点的标准偏差为<1％。

图1：LFA和DSC在-100°C至500°C之间的硅晶片上的测量。

晶圆上的有机污染 - STA-MS检测大样本中最小的杂质

最重要的质量控制参数之一是现代技术中使用的硅晶片的纯度。可以通过采用DSC（差示扫描量热法），TGA（热标分析）或耦合到TGA-DSC（STA，同时热分析）的热分析技术来检查有机污染。在-180°C至2400°C的温度范围内，可以使用多种连字符。

这些包括：

• TGA，DSC或STA-FT-IR
• TGA或STA-GC-MS
• TGA，DSC或STA-MS通过毛细管耦合
• TGA，DSC或STA-MS通过撇渣器^®耦合

这些连字的方法还可以包括MS和FT-IR的同时耦合到热分析仪。

在该示例中，使用同时热分析仪STA 449 F1测量硅晶片木星^®耦合到质谱仪QMSAëolos.^®质谱仪。

STA-MS测量硅晶片;质量数M / Z 15,78和51与500℃和800℃之间的质量损耗步长相关。

将粉碎的硅晶片碎片（1.6g）放入大型₂O._3.坩埚（第3.4毫升）。然后将样品以10k / min的加热速率在氦气下加热至800℃。由于有机成分的释放，在700℃之前发生两个极小的质量损失步骤（0.002％和0.008％）。

为了显示清晰的演示，这里仅介绍了质量编号M / Z 15,51和78。这些质量编号是晶片的环氧树脂涂层的正常片段。

此信息已采购，从Netzsch-GerätebauGmbH提供的材料进行审核和调整。欧洲杯足球竞彩

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