满足裸晶圆的最高要求

从原料“锭”中制作高质量晶片的常见处理步骤是锯切，研磨，研磨和抛光。

图片来源:伤风/ Imfoto

裸露的晶圆生产 - 没有测量没有锯切

称为铸锭的材料是第一种使用的产品晶圆生产。它是可以由硅或其他复合材料制成的块，例如蓝宝石或GaAs。高精度晶片锯用于切割各个裸晶片。在该过程中进行凹槽，必须监控其深度和宽度。

这是通过利用光学多传感器测量工具来实现的，这不仅在三维中可视化SAW轮廓，而且在造成均衡和定量表征它的情况下。这是由于缺乏高度信息，古典光学显微镜不能有益。

由于定量的过程控制，可以更好地控制锯切过程，这意味着锯切片的规格偏差大大降低。此外，在整个锯切过程中，可以记录各种材料的行为，并可以检查加工机器的刀具磨损欧洲杯足球竞彩。

图1。Si晶圆上锯片的区域测量

图2。沿蓝线的Si晶圆的地形

生产者的质量标准用大写字母写

微系统技术、微电子和光伏领域的制造商对主要产品“晶圆”的制造能力有很大的要求，因为在成本密集的下游工艺步骤中，即使是微小的偏差也会对质量产生负面影响。

其结果是产量下降，最终产品的效率和可靠性降低。高质量、部分自动的多传感器测量技术有利于监控晶圆加工过程中的工艺公差，并使生产者的必要质量标准得以维持。

晶圆减薄和抛光过程控制

锯切后，通过采用例如抛光，研磨和研磨的机械过程进一步处理晶片。在整个晶片中必须保持少量微米范围内的厚度。

由于晶片经常以预定的掺杂深度掺杂，因此必须对研磨过程进行定制，以确保厚度不会下降到特定水平以下。这对于具有较低公差的薄晶圆来说尤其如此，因为这需要提高再现性和精度。

不需要厚度偏差 - TTV和CO。

光学非接触式厚度测量在这方面确立了自己的地位。同样的技术也被用来指定粗糙度与高分辨率。薄的，胶粘的或粘合的晶圆也可以评估。

FRT依赖于一个直径布置、校准的传感器配置，包含两个非接触色点传感器，用于表面测量和薄片厚度。他们在晶圆的顶部和底部记录到晶圆的距离。

根据半标准，在整个晶片的总表面上精确地确定局部晶片厚度以及厚度变化。具体地，由TTV值限定的厚度变化是晶片研磨中的质量的标志。

它可以决定材料是否已被均匀地移除。复杂的任务只能用TTV值很低的晶片来完成。

图3。全晶圆厚度图3d视图，抛光Si晶圆

MicroOrf.^®FE - 在每个前端HVM Fab中流行

一种MicroOrf.^®Fe.现在可以在FRT洁净室内查看。来参观体验微鼠^®Fe Live。

microoprof.^®已经为局部和全局晶片参数的自动测量创建了FE，例如弓，TTV，粗糙度，经纱和波纹，用于定量测定由机械加工步骤和300mm的纳米发作的无伪影的无伪影子晶圆。

图4。具有本地参数的晶圆映射（LTIR，LTV，LT，LFPD等）

图5。Si薄酥饼的完整的薄酥饼地图在显示弓的3d视图

图6。带空隙的Si晶圆的3D地形

它汇集了全球建立的特征MicroOrf.^®300设备前端模块(EFEM)内的晶圆处理系统，并提供过滤单元(FFU)，以满足IS2020欧洲杯下注官网O 3级洁净室的要求。

处理单元具有两个负载端口，包括映射器和RFID读取器，以及预对准器和具有真空末端执行器或边缘抓取器的单臂机器人。microoprof.^®FE旨在使300毫米FOUP / FOSBS进行全自动测量。

另外，可以校准该工具以处理开放式盒（150mm / 200mm），并专门用于200mm或300mm晶片，或者为200mm / 300 mm桥接工具。除了标准配置之外，还可以将若干附加功能添加到工具中，也可以在稍后阶段改装。

也可以对非标准晶圆片进行处理，如高翘曲晶圆片(如eWLB)，或厚度小于50 μm的薄晶圆片。类似地，由于多传感器的概念，更多的传感器可以在以后的日期更新。

由于其完全半兼容的测量解决方案，几乎无需维护的硬件组件和它的高吞吐量，MicroProf^®FE是任何前端HVM-FAB的理想主控。随着投资成本下降，总是可以坚持技术推进技术的发展。

预约frt看微鼠^®Fe Live。

更多的信息,请点击这里．

请咨询其他意见或问题接触FRT专家将乐意为衡量任务提供解决方案。

此信息已采购，审核和调整由FRT计量提供的材料。欧洲杯足球竞彩

有关此来源的更多信息，请访问FRT计量。