目前，在电子业务，氮化镓，GaN和相关的化合物中是迅速成为主要球员。本书旨在概述外延GaN层中关键结构参数的X射线衍射分析。它引入了基本的晶体概念以及这些晶体概念以及如何与用于光电和电子设备产生的技术结构的具体要求。
它的目标是希望获得对背后原则的更深刻的理解XRD应用程序在不断推进的化合物半导体器件场中。它还提供了专有分析软件所采用的概念的背景说明，例如从事外延层的测量的那些X'Pert外延，以及希望了解分析过程的人，以使他们能够设计它们的计算。本书侧重于GaN技术，但原则主要可转移到其他复合半导体系统的解决方案。
高分辨率摇摆曲线和互惠空间图主要用于本书解决方案。虽然其他方法可用于调查先进材料，但这些是GaN设备技术中最常见的应用。欧洲杯足球竞彩研究环境通常使用反射仪，面内散射，萨克斯和巨头作为X射线衍射方法。
快速测量和自动化通过新方法的出现不断改善。单独的出版物将详细介绍这些实验方法。Malvern analytical X'pert MRD和X'Pert MRD XL设备2020欧洲杯下注官网可用于执行本书中提到的所有测量。
使用外延装置结构描述精确和定量测量。缺陷外延层的相对质量可以通过几种替代方法测量。这种方法包括峰值和宽度测量（并且通过该路线探索马赛克块尺寸），晶体倾斜和旋转和缺陷密度的估计和纹理扩散。还介绍了定性分析的原则。
- 第1章简要介绍了与XRD计量相关的GaN设备技术概念。
- 第2章讨论了晶体结构，晶体尺寸和晶体取向的表达，以及在外延薄膜中计算应变，组成和层厚度的程序。
- 第3章提供了获得衍射峰值位置和布拉格法律获得晶体的应用的介绍D.- 空间。
- 第4章介绍了在衍射图案模拟和配件的方法方面获得外延层厚度，组合物和菌株的替代路线。
- 第5章讨论了如何使用峰值宽度的测量作为马赛克块尺寸和倾斜的指南，因此GaN缓冲层中的位错密度。
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