等离子体原子层沉积TiN的非破坏性电特性

由牛津仪器等离子体技术2019年12月19日

氮化钛(TiN)是互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中的一种金属栅极，因为它具有低电阻率和与栅极介质兼容的特性。¹由于其化学和热稳定性，TiN也可以作为耐磨涂层和铜扩散的阻挡层沉积。²传统上，TiN是使用物理气相沉积技术沉积的，由于阴影效应，特别是在高纵横比结构中，深接触和通过沟槽的台阶覆盖较差。

200mm晶片等离子体原子层沉积TiN的THz光谱无损电特性研究

原子层沉积(ALD)是一种薄膜沉积技术，可以Å-level控制薄膜厚度，具有优良的均匀性和高纵横比保形涂层的特点。ALD用各种前驱体如四氯化钛(TiCl4)、^3.和四(二甲氨基)钛(Ti(N(CH ._3.）₂）₄TDMAT)。^{2、4、5所示}

图1所示。牛津仪器FlexAL®远程ICP等离子ALD系统。

然而，通常需要优化薄膜生长和电性能及其均匀性。理想情况下，可以对沉积覆盖的整个表面进行无损的厚度表征和电均匀性，以确保最终薄膜的质量。本白皮书将用太赫兹光谱法演示在200 mm晶片上沉积TiN的等离子体原子层的无损电特性。

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美国心理学协会
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哈佛大学
牛津仪器等离子体技术。2019。等离子体原子层沉积TiN的非破坏性电特性．AZoM, viewed June 24 2021, //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18698。