世界领先的SiC功率器件等离子体工艺解决方案

由牛津仪器等离子体技术2019年12月19日

牛津仪器等离子技术开发了一套创新的等离子体工艺解决方案，旨在实现最大碳化硅（SIC）器件性能。SiC具有用于电力设备制造的独特理想的性能，并且正在逐步应用以实现实现新的和令人兴奋的技术所需的突破性性能。宽带隙半导体，SiC提供高击穿场和高导热率。这些固有的优势使得能够在较小，更轻，更高效的技术的高度较小，具有在高温下运行的能力来生产电力器件。SIC Power Devices已经建立了福利，并且在电源/功率因数校正和光伏应用中具有相当大的市场。在近地平线上是电气和混合动力车辆（EV和HV）和相关基础设施。长期来看，实质性效率节省的范围是可观的，并且超越这些关键应用。

世界领先的SiC功率器件等离子体工艺解决方案

在这篇白皮书中，我们考虑等离子体处理的作用及其在定义器件性能和应用的最优策略中的重要性。我们还研究了原始SiC器件的结构，如肖特基势垒二极管(SBDs)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。

图1。基本的SBD结构的限制是，在反向偏压中，峰值电场与MetalSexymardion界面巧合，可以说是设备的最弱点。

切换到SIC的影响

在电子电源电路中，功率半导体器件执行开关，整流器或放大器的功能。定期使用的设备包括SBD，MOSFET，双极连接晶体管（BJT），结FET（JFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这些设备中许多的共享特性是，当“关闭”时，它们必须抵抗电流的反向流动。具有高反向击穿电压。相反，“抗性优先非常低，以最小化热/功率损耗。

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美国心理学协会
牛津仪器等离子体技术。（2019年12月19日）。世界领先的等离子体工艺解决方案，用于制造SIC电源装置。AZoM。7月04,021从//www.wireless-io.com/article.aspx?articled=18700中检索。
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牛津仪器等离子体技术。“世界领先的SiC功率器件等离子体工艺解决方案”。AZoM．2021年7月04。< //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18700 >。
芝加哥
牛津仪器等离子体技术。“世界领先的SiC功率器件等离子体工艺解决方案”。AZoM。//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18700。(访问2021年7月4日)。
哈佛大学
牛津仪器等离子体技术。2019。世界领先的SiC功率器件等离子体工艺解决方案．《AZoM》，2021年7月4日观看，//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18700。