氮化镓对SiC射频器件正变得越来越重要，以实现对今天的通信所需的高效高频器件。的AlGaN / GaN 2DEG的高电子迁移率使得能够与低功率损耗的快速切换时间。建立这些设备时，需要等离子体处理的精确控制，如果没有这种知识器件寿命和性能将受到损害。牛津仪器等离子技术，通过提供先进技术和工艺诀窍的解决方案。
器件结构
基于GaN的RF装置提供了优于其它材料的许多优点，例如开关速度和功率密度。欧洲杯足球竞彩的GaN的诸如宽带隙，高电子迁移率，高热导率和高击穿电压的固有材料性质使其成为高功率高频器件良好的性能选择。本土GaN衬底，但是，是非常昂贵的，并有可能继续如此可预见的未来，由于技术障碍。对于氮化镓RF衬底的选择是目前的Si和SiC之间。
Si是便宜且广泛可用高达300mm晶圆直径，但它在该晶格失配和共同有效的热膨胀差都很大，其除非复杂应力释放结构被并入创建在顶部和高晶片应力在GaN生长的缺陷具有缺点。
虽然碳化硅具有更紧密的晶格匹配，但仍然相对昂贵，晶片直径限制在150毫米。如果考虑到生长的GaN质量和衬底成本的平衡，SiC是许多应用的首选衬底。然而，通常用于衬底的SiC是半绝缘的，这在器件制造链中增加了某些工艺要求，特别是通过晶片通孔来实现与有源器件的背面接触。
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图1。基于GaN的RF设备的细节
图1是成品设备的示意图。它显示了生长在SiC衬底上的GaN RF器件的特定几何特征。其中许多功能需要实现等离子体处理。Oxford Instruments作为先进等离子体处理工具的供应商，支持这些处理步骤。
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本信息来源、审查和改编自牛津仪器等离子技术公司提供的材料。欧洲杯足球竞彩
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