等离子体沉积以获得最大性能

与高电子迁移率相结合的InP的性质使其成为制造光电器件的理想半导体。密钥应用程序是通信，这通过增加的数据流量迅速扩展。

等离子体沉积以获得最大性能

InP能够制造能够在高频率下运行的组件，从而实现更高的数据量。特别是，它为激光二极管制造提供了引人注目的优势，以具有竞争力的价格提供了出色的功能。当设计和制造得到优化时，InP激光器可在较宽的温度范围内提供高光谱纯度和光功率。此外，1100–2000nm的可实现波长范围是光纤通信的最佳选择。因此，为InP激光器的生产制定成本效益高的处理策略直接支持通信的发展，以支持不断增长的数据传输需求。

图1。使用橙色突出显示的等离子体处理方法实现的INP激光器制造的处理步骤

在本白皮书中，我们研究了对InP激光二极管制造中的等离子体处理技术的作用，其专注于电感耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）和等离子体增强CVD（PECVD）的相对优点。主要目的是突出不同流程的相关特征，并展示如何组合地最佳地应用，以有效地制造高性能激光器。

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本信息来源、审查和改编自牛津仪器等离子技术公司提供的材料。欧洲杯足球竞彩

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