定义了磷化铟(InP)激光二极管生产的最佳等离子体加工工具包

由牛津仪器等离子体技术2019年12月19日

InP具有宽带隙和高电子迁移率的特性，使其成为制造光电子器件的理想半导体。通信是一个关键的应用程序，它随着数据流量的增加而迅速扩展。

定义了磷化铟(InP)激光二极管生产的最佳等离子体加工工具包

InP可以制造出能够在高频率下工作的组件，从而获得更大的数据量。特别是它为激光二极管制造提供了令人信服的优势，以具有竞争力的价格提供优良的功能。当设计和制造是优化的InP激光器提供高光谱纯度和光功率，在一个广泛的温度范围。此外，可达到的波长范围为1100 - 2000纳米是光纤通信的最佳波长。因此，为InP激光器的生产制定成本效益高的处理战略直接支持通信的发展，以支持对数据传输日益增长的需求。

图1所示。具有a.表面分布反馈b.埋藏分布反馈的InP激光结构

本文着重讨论了电感耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)、等离子体增强CVD (PECVD)、反应离子刻蚀(RIE)和ICP-RIE等等离子体加工技术在InP激光二极管制造中的作用。其主要目的是突出不同工艺的相关特性，并展示如何将它们最佳地结合起来，高效地制造高性能激光器。

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哈佛大学
牛津仪器等离子体技术。2019。定义了磷化铟(InP)激光二极管生产的最佳等离子体加工工具包．AZoM, 2021年6月30日观看，//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18704。