最大性能的DFB光栅蚀刻

由牛津仪器等离子体技术2019年12月19日

InP具有较宽的带隙和较高的电子迁移率，是制造光电子器件的理想半导体。一个关键的应用是通信，随着数据流量的增加，这一领域正在迅速扩展。

最大性能的DFB光栅蚀刻

InP能够制造能够在高频率下运行的组件，从而实现更高的数据量。特别是，它为激光二极管制造提供了引人注目的优势，以具有竞争力的价格提供了出色的功能。当设计和制造得到优化时，InP激光器可在较宽的温度范围内提供高光谱纯度和光功率。此外，1100–2000 nm的可实现波长范围是光纤通信的最佳选择。因此，为InP激光器的生产制定成本效益高的处理策略直接支持通信的发展，以支持不断增长的数据传输需求。

图1所示。用橙色突出显示的是制造InP激光器所涉及的处理步骤和使用等离子体处理方法实现的步骤

在这篇白皮书中，我们研究了等离子体处理技术在InP激光二极管制造中的作用，重点讨论了DFB光栅的电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)的相对优点。主要目的是突出不同工艺的相关特性，并展示如何将它们最佳地应用于组合，以有效地制造高性能激光器。

想知道更多吗?点击这里阅读全文。

本信息来源、审查和改编自牛津仪器等离子技术公司提供的材料。欧洲杯足球竞彩

有关此来源的更多信息，请访问牛津仪器等离子体技术．

引证

请在你的文章、论文或报告中使用下列格式之一来引用这篇文章:

APA
牛津仪器等离子技术。（2019年12月19日）。DFB光栅蚀刻，实现最佳性能。亚速姆。于2021年9月28日从//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18705.
MLA
牛津仪器等离子技术。“DFB光栅蚀刻以获得最佳性能”。亚速姆．2021年9月28日。< //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18705 >。
芝加哥
牛津仪器等离子技术。“DFB光栅蚀刻以获得最佳性能”。AZoM。//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18705。(2021年9月28日生效)。
哈佛
牛津仪器等离子技术。2019最大性能的DFB光栅蚀刻．viewed September 28, //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18705。