大功率VSCEL阵列的干法刻蚀

由牛津仪器等离子体技术2019年12月19日

VCSEL技术在三维传感中的某些应用比数据通信应用要求更高的功率运算。因此，有一个驱动器，以产生不同大小和密度的高功率VCSEL阵列，取决于所需的组合输出功率。然而，在生产高功率阵列时，成本控制和vcsel之间的热串扰等多重挑战也会出现。此外，vcsel的制造过程也面临挑战。随着阵列密度的增加，更好的工艺控制对实现性能和成本变得至关重要。

大功率VSCEL阵列的干法刻蚀

关于干法蚀刻对以低成本证明可靠性能的影响的讨论

VCSEL台面的干法蚀刻是VCSEL制造过程中的关键步骤之一。台面结构限制了光线，并暴露了高铝含量层，以便随后进行氧化处理。台面结构是通过蚀刻顶部DBR堆栈形成的。在此过程中，台面直径的控制对于确定孔径尺寸非常重要。侧壁也必须清洁光滑，以防止孔径不均匀。此外，在整个晶圆尺寸范围内控制端层至关重要。

端面层影响器件的电光性能、成品率和可靠性。

想知道更多吗?点击这里阅读全文。

本信息来源、审查和改编自牛津仪器等离子技术公司提供的材料。欧洲杯足球竞彩

有关此来源的更多信息，请访问牛津仪器等离子体技术．

引证

请在你的文章、论文或报告中使用下列格式之一来引用这篇文章:

APA
牛津仪器等离子体技术。(2019年12月19日)。大功率VSCEL阵列的干法刻蚀。AZoM。2021年9月28日从//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18706检索。
MLA
牛津仪器等离子体技术。“大功率VSCEL阵列的干蚀刻”。亚速姆. 2021年9月28日.
芝加哥
牛津仪器等离子技术。“大功率VSCEL阵列的干法蚀刻”。亚速姆。//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18706. （查阅日期：2021年9月28日）。
哈佛
牛津仪器等离子技术。2019大功率VSCEL阵列的干法刻蚀．viewed September 28, //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=18706。