目前对光学互连、激光雷达技术或人脸识别的需求正在推动VCSEL行业更快地发展。VCSEL制造在世界范围内迅速扩大，VCSEL制造过程必须实现更高的产量和质量。应用，如3D传感，集中在最大的功率转换与vcsel阵列更高的综合输出功率。在阵列中，阈值电流和差分量子效率必须在不同激光之间是一致的。这需要很好的外延控制，但也需要很好的台面形状控制。随着对密集阵列的需求增加，在均匀性、线宽和纵横比方面出现了挑战。
通过强大的工艺专业知识和广泛的设备理解，牛津仪器等离子技术开发了先进的等离子加工解决方案，以提供VCSEL市场所需的设备性能和收益率。在这篇白皮书中，我们专注于如何最好地控制MESA的几何形状，晶圆尺寸高达150毫米。我们回顾了实现锥形或垂直轮廓的关键要求，精确控制MESA的深度。
VCSEL结构的主要制作步骤
VCSEL结构的简单性允许以非常高效的成本进行大批量生产。与边缘发射激光器相比，每个晶圆和更大的晶圆可以制造更多的vcsel。垂直制造的vcsel还允许高度集成其他组件。光电探测器、镜子、电路和其他元件可以很容易地集成到结构上，实现板上芯片(COB)技术。随着技术的发展，针对特定应用开发了多种设计。这里我们来看看一个简化的工艺流程来设计激光腔。
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制造VCSEL需要多个处理步骤。下面的表1中的表格给出了基于GAAs的VCSEL的每个制造的简化分解，突出了牛津仪器解决方案的相关步骤。PlasmApro 100可在晶片上提供均匀的工艺，高达200mm。VCSEL市场目前正在向150mm迈进，因此这里展示的大部分工作都集中在100毫米至150毫米的晶片尺寸。
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