动态随机存取存储器(DRAM)是大多数电子设备中使用的基本单元之一，包括笔记本电脑、智能手机、个人电脑等。这类器件的关键元件是电容器和晶体管。FET晶体管创建一个访问(基于栅极接触信号)电容单元被充电和位信息被存储。电容器上的电荷消耗缓慢，因此，信息需要定期刷新，因此，这种记忆被称为动态记忆。
从半导体器件中制备薄TEM样品的fib -制备是半导体晶圆厂日常实施的物理失效分析工作流程中的一个重要步骤。薄片需要变薄以达到电子透明，其厚度要与待分析器件的关键尺寸相一致。因此，在透射电镜中可以清楚地分辨出纳米级结构，如晶体管。制备的薄片上最小的非晶侧向损伤也是TEM成像的关键要求。虽然低kv FIB抛光是一种有效的减少非晶层的技术，但它会引入不必要的离子注入的风险，从而限制或干扰TEM分析。
图1所示。由SDRAM样品制备并抛光至最终厚度为80纳米的最终薄片的STEM-BF图像。
Xe等离子体源FIB是高质量样品制备的替代方案，与传统Ga离子源FIB相比具有重要优势。与Ga源fib相比，在30 keV下离子注入较少，诱导的非晶态损伤较小。此外，Xe是一种惰性气体，它可以防止金属化合物的形成，当分析样品的物理性质由于FIB磨铣而局部不变时，这个特性尤其有价值。
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TESCAN USA Inc .)
TESCAN成立于1991年，由特斯拉的一群管理人员和工程师组成，其电子显微镜的历史始于1950年，如今TESCAN是聚焦离子束工作站、扫描电子显微镜和光学显微镜的全球知名供应商。TESCAN的创新解决方案和与客户的协作性质使其在纳米和微技术领域处于领先地位。该公司很自豪地参与了一系列科学领域的卓越机构的首要研究项目。TESCAN在价值、质量和可靠性方面为客户提供一流的产品。TESCAN USA inc .)的北美手臂TESCAN奥赛控股一家跨国公司合并建立的TESCAN捷克公司,全球领先供应商的sem和聚焦离子束工作站、物理奥赛和法国公司,世界领先的定制的聚焦离子束和电子束技术。
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