Ga FIB铣削的横截面通常为几十微米、宽度和深度。然而，对于显示器、TSV、MEMS、BGA或倒装芯片等可能需要超大横截面进行失效分析的结构，等离子体离子柱是铣削的首选解决方案。配备iFIB的TESCAN SOLARIS X FIB-SEM+™ Xe plasma FIB柱提供大截面材料去除所需的高电流。
不幸的是，当加工复合材料时，由Xe等离子体FIB研磨的表面可能会导致横截面上出现不希望出现的伪影，类似于在极高束流下的Ga-FIB。提高表面质量的一种方法是从不同方向抛光材料，尽管这会使横截面过程更困难、更耗时、更不准确。为了克服这些缺点，TESCAN SOLARIS X提供了一种新方法，该方法可以极大地提高表面质量，同时在整个铣削过程中保持简单性和准确性：摇摆阶段。摇摆台允许用户利用SOLARIS X的宽视野和SEM成像来监控铣削过程和精确的终点。
图1。上图:100um宽的等离子体FIB横截面通过焊料凸点和铜μ VIA。界面部分被隐藏的工件所覆盖，使得故障分析变得困难。FIB制粉时间50分钟。
底:经过额外10分钟的摇摆抛光后的横截面。可以清楚地识别和调查凸点和µVIA接口的细节！
主中心样品台只允许围绕垂直于FIB和SEM柱的轴线倾斜。这种方法的主要问题是，当样品需要从不同方向铣削以减少遮挡效应时，在FIB铣削过程中无法进行SEM成像。在抛光过程中，如果没有实现SEM成像的能力，抛光将变得耗时、具有挑战性和精度较低。它需要暂停抛光过程，然后改变工作台的位置，以不时检查横截面质量。当达到所需的点/结构时，很难停止铣削，同时也尽量减少遮挡工件。TESCAN的新型摇摆舞台增加了横截面平面的倾斜度。这种方法(图1)允许通过SEM成像监控整个铣削和倾斜过程，这对精确的端点检测至关重要。
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特斯卡纳美国公司。
TESCAN成立于1991年，由特斯拉的一群管理人员和工程师组成，其电子显微镜的历史始于1950年，如今TESCAN是聚焦离子束工作站、扫描电子显微镜和光学显微镜的全球知名供应商。TESCAN的创新解决方案和与客户的协作性质使其在纳米和微技术领域处于领先地位。该公司很自豪地参与了一系列科学领域的卓越机构的首要研究项目。TESCAN在价值、质量和可靠性方面为客户提供一流的产品。TESCAN USA inc .)的北美手臂TESCAN奥赛控股一家跨国公司合并建立的TESCAN捷克公司,全球领先供应商的sem和聚焦离子束工作站、物理奥赛和法国公司,世界领先的定制的聚焦离子束和电子束技术。
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