FE SEM和最新的创新:微观分析

SEM中微量分析的最追捧之一是扩展探头电流的能力,同时保留小点尺寸和小容量的高分辨率。

JEOL的FE sem具有专利光圈角度控制镜头(ACL)的独特特性。该镜头本能地优化在小探头电流下的高分辨率成像和在高探头电流下的高空间分辨率x射线分析,从一个平滑地变化到另一个。这对于快速分析和优秀的图像质量是至关重要的,特别是对于低kV的微量分析。

ACL通过研究每种像差(球面,色度和衍射限制)对光斑尺寸的影响,本能地优化收敛角。当SEM针对最小的光斑尺寸(最大收敛角)优化时,可以有光束拖尾从“不在点”的区域中产生X射线。对于低光束电流功能,这是无关紧要的。

最大的分析数据是从最小的收敛角度收集的。因此,当ACL为图像分辨率进行优化时,随后的高电流图像(大收敛角)有一个相当“模糊”的背景,但显示出良好的分辨率。

高斯平面上的光束电流密度。ACL优化在高束流(a)图像分辨率和(b)分析分辨率。纳米金图像和EDS分析完成在5 kV, 20 kX和73 nA。

图1。高斯平面上的光束电流密度。ACL优化在高束流(a)图像分辨率和(b)分析分辨率。纳米金图像和EDS分析完成在5 kV, 20 kX和73 nA。图片来源:JEOL USA, Inc。

尽管如此,最终的分辨率略有下降ACL.针对分析工作进行了优化。然而,分析信号不受光束拖尾的影响,导致分析信号临床化较少(图1)。ACL的自动优化在各种加速电压和探针电流下保持高分辨率成像,在几个PA到数百NA之间的范围之间。

图1所示。分析WD时光斑大小与探针电流的关系。资料来源:JEOL USA, Inc。

15 kV. 5 kV.
1 nA 1.4纳米 1.5 nm.
5 NA. 1.9纳米 2.0 nm.
10 nA 2.3纳米 2.5 nm.
50 na 2.8 nm. 4.1纳米
100 NA. 3.7 nm. 6.0纳米

图1显示了与分析WD的探头电流对比的分辨率为15 kV和5 kV。在大探针电流下碳上的碳上的强烈放大图像如图2所示。图像拍摄于15 kV,分析Wd,以及1na(左)和100na(右)的光束电流。

碳上的金图像在15 kV和分析WD下,以1na束电流(左)和100na束电流(右)拍摄。

图2。碳上的金图像在15 kV和分析WD下,以1na束电流(左)和100na束电流(右)拍摄。图片来源:JEOL USA, Inc。

ITO上镍柱的EDS图,分辨率小于25 nm。在160秒内,在6kv, 4na的束流下绘制了该图。

图3。ITO上镍柱的EDS图,分辨率小于25 nm。在160秒内,在6kv, 4na的束流下绘制了该图。图片来源:JEOL USA, Inc。

ACL函数在高光束电流下的应用允许在采用低kVs的高空间分辨率下检索快速EDS地图。这可以在图3中可以看出,使用JEOL集成EDS检测器。这是ITO上的镍柱的EDS地图,具有Sub-25nm分辨率。地图在6 kV中累积,在不到三分钟内使用4纳的光束电流。

这些信息来源于JEOL USA, Inc.提供的材料。欧洲杯足球竞彩

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