在薄膜生成和高级涂料系统中，沉积阶段用于提高过程效率并鼓励增加底物覆盖范围。
它们通常以自由度的特征，它们可以在操作过程中改变底物的位置。选择适当的沉积阶段对于给定的应用程序是工作流管理的关键部分。
沉积阶段的类型
由于使用了安装，静态沉积阶段能够将基材保持在沉积源的视线之内。这些安装可以用于各种底物尺寸和方向，尽管它们无法修改材料温度或旋转。
为了提高沉积速率并鼓励薄膜中的更大均匀性，将阶段作为超高真空（UHV）设备创建。除了可选的射频和直流电（DC）偏置外，这些设备还提供加热和旋转。
这些属性使样品底物表面的制备和激活通过RF等离子体蚀刻来帮助去除表面污染物。此外，通过半导体，进行或绝缘底物晶圆样品，可以在膜生长之前实现受控的晶体退火。
沉积阶段可以使用温度控制以及可选的偏置在UHV条件下在UHV条件下进行上级薄膜形态。除了增强的涂层均匀性外，这还达到了更高的密度，膜和界面应力缓解和加速沉积速率。
中心沉积阶段及其应用
UHV设计的EC-I系列沉积阶段为一系列生长和沉积技术提供了高性能，包括分子束外延，化学蒸气沉积和溅射。
EC-I系列阶段非常适合这些应用，可为与UHV应用兼容的底物传输提供连续的底物加热，偏置，旋转和设施。EC-I沉积阶段适用于直径2英寸至200mm的半标准晶片。
中心沉积阶段除了其他高温材料修饰之外，还非常适合基质退火和脱气。此外，GLAD沉积阶段可以与方向沉积源一起使用，例如脉冲激光沉积，热蒸发和磁控溅射。
除模块化设计外，UHV设计提供了完整的在线，直角和瞥见配置，以适合所有规格。要了解来自UHV的沉积阶段解决方案的更多信息，请通过网站取得联系。
此信息已从UHV Design Ltd提供的材料中采购，审查和改编。欧洲杯足球竞彩
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