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蚀刻技术用于半导体制造

本文概述了半导体制造过程中,主要侧重于蚀刻技术的使用,以及发生在这一领域的最新研究。

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图片来源:宏观照片/ Shutterstock.com

现代电子的半导体:大脑

半导体是电子设备的一个关键因素,使进步的电信、计算机、生物技术、武器技术、航空、可再生能源,和各种各样2020欧洲杯下注官网的其他领域。半导体,也被称为集成电路(ic)或芯片,生产从纯硅和锗等物质,以及复合材料如砷化镓。

少量的缺陷引入这些原始组件在一个称为掺杂的过程,产生戏剧性变化的传导材料。智能手机、电子产品、通讯设备、自动化系统、汽车零部件、和军事基础设施都使用半导体。认知控制,这些产品包括半导体材料进行成像,电源管理,存储解决方案、信号调节欧洲杯足球竞彩和转换之间的光学和电子能源。

半导体制造过程的简要概述

半导体制造技术是由多个不同的生产步骤,每个结果在一个特定范围的过程。无数微小电路是在晶圆上创建使用各种物理和化学过程。这个过程始于一个硅晶片平台的使用。晶片形成的salami-shaped地带几乎纯硅(锭),已抛光的完美。二氧化硅是生产或沉积在晶片作为保护涂层或保护。

往下,感光层称为光刻胶应用于薄片。这两种类型的阻力是积极的和消极的。光刻是一个关键阶段,因为它决定了安排芯片上的晶体管。在这个阶段,芯片晶圆放置在光刻设备和暴露在深紫外(DUV)或极端的紫外线辐射(EUV)。2020欧洲杯下注官网多余的硅结构的区域被揭露基本材料或允许一个额外的组件的涂层,而不是蚀刻涂层。导电金属沉积在晶圆生产微芯片的导电区域。最后,删除多余的材料从晶片的底部,导致好,光洁度。

半导体蚀刻技术及其类型

在半导体器件的制造,蚀刻对应于任何技术,消除了材料系统地从薄层平台上(有或没有之前的架构在其接口),留下了一个序列的物质平台。封面,是腐蚀电阻定义布局。一旦封面的位置,公开的材料可能是蚀刻使用“湿(化学)”或“干(物理)”过程。

传统上,湿化学过程是一个模式定义腐蚀的关键。然而,随着系统组件尺寸缩小和界面能的重要性增加,湿化学腐蚀被干蚀刻方法取代。这种变化主要是由于湿蚀刻的各向同性构成。

更多的从AZoM:光刻机和芯片制造过程

湿蚀刻去除材料的所有维度,导致不同结构的大小指定的覆盖和重复的站台上。干蚀刻可用于去除材料通过物理技术,如离子影响随后从表面材料驱逐或化学过程表面转化成气态的活性物种,可以被风吹走。所有干蚀刻过程在真空中运作,与压力确定在某种程度上腐蚀现象的特点。

等离子体蚀刻是另一个重要的腐蚀方法。等离子体蚀刻程序利用分子和原子的指控和/或反应中包含中性等离子体去除材料的表面。纯粹的物理腐蚀是由加速积极原子电荷向表面使用强烈的电流。表层的离子碰撞时,其内在力量被运送到基质的分子。底物分子将被驱逐到气态和吸的真空泵如果足够的能量。

最新的研究

最近的一项研究发表在杂志上ACSω由一群意大利研究人员讨论的开发和表征战壕碳化硅(SiC)分类表面通过与SF6气体等离子体蚀刻。研究人员监测和准确地控制沟深度使用干涉端点检测(IEPD)。

透射电子显微镜和x射线光电发射光谱的研究表明,质量好,统一创建的战壕。由于等离子体蚀刻与O2和SF6,据透露,碳化硅表面改性非常小,没有氟中毒的迹象。这些结果表明,等离子体蚀刻在SiC平台上创建的战壕非常适合制造新一代的电子设备。

简而言之,已经取得许多进展领域的半导体蚀刻技术,为未来的应用铺平了道路。

引用和进一步阅读

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Ibtisam Abbasi

写的

Ibtisam Abbasi

Ibtisam空间技术学院毕业,伊斯兰堡与航空航天工程学士学位。在他的学术生涯中,他曾在多个研究项目,成功地管理一些课余活动,如国际世界空间周和航空航天工程国际会议。有一个英语散文比赛期间本科水平,Ibtisam一直对研究非常感兴趣,写作和编辑。他毕业后不久,他加入了AzoNetwork提高他的技能作为一个自由职业者。Ibtisam喜欢旅游特别是参观农村。他一直是一个体育爱好者,喜欢看网球、足球和板球。出生在巴基斯坦,Ibtisam一天希望环游世界建立强大的友谊的纽带和传播和平与爱的信息。

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  • 哈佛大学

    Abbasi Ibtisam。2022。蚀刻技术用于半导体制造。AZoM, 2022年3月27日,//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=21487。

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