氧化锌半导体或氧化锌组,由氧化锌甚至几三元或四元半导体由添加适当的附加元素锌和氧气,可能适合UV-emitting固态技术。
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宽禁带半导体或世行集团需要在固态紫外辐射发射和传感设备。制造业有效排放挑战大大超过制造业有效的紫外线辐射探测器。关于紫外线发射器,半导体的带隙能量必须等于或大于必须发出的光子能量。
III-Nitrides的问题
III-nitrides也用来创建低波长发光二极管,以发射波长250纳米。然而,由于变量如高无辐射复合和欧姆接触不充分,这些设备排放效率极低。
因此,很大一部分电能输入丢失的热量。这减少了能量转换的效率和加剧的挑战消除热量从设备操作。
对半导体紫外线发射器的需求
紫外线发光二极管(led)和波长小于300纳米提供广泛的可能的用途,包括空气、淡水、和表面卫生、医疗诊断和治疗,辐射紫外线发射器,UV固化,等等。
市场净化解决方案基于小和成本效益的半导体和紫外线来源的增长,随着人们越发意识到与污染相关的健康危险食物,空气,水。
然而,最经常使用深紫外灯(DUV),如汞灯,通常是大型和昂贵,造成重金属污染的危险,所有的防止此类DUV光源应用在许多地区。
的宽禁带是从汤姆斯DUV光源,灯具汞作为一个潜在的解决方案,有许多优点,包括低功耗效率高,体积小,寿命长,低环境破坏,等等。结果,都花费了大量的精力,近年来这一技术。
好使用氧化锌半导体紫外线发射器
因为氧化锌特性高激子结合能和其他可取的属性,如易接近的原材料,减轻材料的访问,和设备制造、材料创建固态紫外线发射器提供了巨大的潜力。
尽管有这些好处,半导体氧化锌家族尚未采用近紫外线DUV led,尽管实验室产品已经演示了很多年了。
挑战生产浓度足够高的洞内的材料是主要的原因。欧洲杯足球竞彩这是一个著名的问题,影响到所有宽禁带半导体。
氧化锌半导体的特点
在环境温度下,氧化锌(氧化锌)确实有很大的激子结合能60兆电子伏,一个广泛的能带隙3.37 eV,允许它激子照明发展。它可能被用于高性能紫外线灯和激光二极管。
氧化锌也可能调整的结合能创造DUV led。创建MgZnO为较宽的带隙和BeZnO三元金属活性层已经证明了这一点。已经进行生产DUV led,很多尝试,在连续的基础上取得了可喜的成果。
氧化锌半导体的应用
氧化锌是一种半导体的承诺使紫外线发射器设备为各种不同的应用程序。led产生深紫外光源(DUV),提供广泛的可能的用途。
Zinc-oxide-based材欧洲杯足球竞彩料有一个很大的激子结合能和广泛的能带隙可能用于高性能DUV led。隙的操纵来开发这样的光电应用程序是必要的。
MgZnO促进会和BeZnO复合材料更大的能带隙材料表明这一点。欧洲杯足球竞彩已经进行生产DUV led,很多尝试,在连续的基础上取得了可喜的成果。
氧化锌半导体研究的好处
尽管如此,研究氧化锌材料的家庭是至关重要的,原因有两个。欧洲杯足球竞彩一种可能性是,在未来的一个可行的p型掺杂过程这些半导体将发现,允许他们被用于制造有效的紫外线和DUV led。
另一个原因是,这种材料可能被用来制造ionization欧洲杯足球竞彩-based DUV发射器不需要p型掺杂。一项新的研究结果,在《华尔街日报》欧洲杯足球竞彩材料研究公告氧化锌和MgZnO指向未来,这些半导体可能用于制造商业DUV发射器。
在氧化锌高CL观察发射,但不是在sputter-deposited MgZnO层。后者,另一方面,表现出明显的光学吸收能带边缘以及光致发光。
新发现在氧化锌半导体紫外线发射器
在《欧洲杯足球竞彩材料研究公告气急败坏的涂料的结构不稳定,可以使电子的平均自由通道注入从自由空间射线CL配置大大减少。电子失去能量从顶部的层和不渗透到足够激发产生电子空穴对的影响。
任何电子空穴对,形成可能重组无辐射。使用sputter-deposited MgZnO样品,没有发现CL发射。
ALD-grown MgZnO电影,另一方面,显示明显的带边沿CL排放预测蓝色转变为毫克浓度上升。因此,物质增长或沉积的方式选择创建CL emission-capable材料是至关重要的。欧洲杯足球竞彩
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参考和进一步阅读
Chaudhari,。,et al。(2022)。氧化锌家庭对紫外线辐射发射半导体——阴极发光研究。欧洲杯足球竞彩材料研究公告。https://doi.org/10.1016/j.materresbull.2022.111906
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