由于硅是第三个地球上最丰富的元素(铁和氧气),这无疑是一个易接近的原材料。这是一个太阳能电池和电子设备的重要组成部分,但必须首先经过净化后用于这些目的。
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它还方便的分离硅从普通砂通过减少可乐的铁。
硅技术有三个主要类型:非晶态,多晶和单晶。实现冶金级纯度,大多数元素硅首次生产硅铁合金。
大约有15%是半导体纯度进一步细化。电子应用需要极端的纯度在99.9999999%的水平。
Czochralski技术,种子晶体悬浮在半导体级硅熔融浴,轻轻画保护环境下旋转时,常被用来制造单晶硅。长,结果是一个球形晶锭可以重达数百磅。
这个水晶是那么精确直径和wire-sawed为额外的研磨盘平面度和厚度,然后抛光规范。晶体生长技术的先进至少300毫米直径,除了半导体行业受益于越来越大直径盘处理。
尽管单晶硅自然展品semi-conductivity,它可以生产p型和n型硅掺杂其他元素。离散电子元器件和集成电路的发展是主要的应用程序。高性能光伏组件等太阳能电池有几种用途。
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熔融硅用于铸造多晶硅。尽管它没有方法相同水平的纯度或电效率crystal-grown材料,它仍然是用于太阳能应用因为它是便宜的。
标准硅晶片易于接近商业化和频繁的内部由半导体公司由于多年的精密晶圆需求量增大。晶圆是由使用高度自动化技术,使他们非常负担得起的。
自1947年以来,INSACO获得必要的知识和工具来精确测量和形状不同的技术陶瓷。INSACO购买单晶硅在较大尺寸适当的规范,它准确地编造的独特特征用户的设计。
具体研发项目国家实验室都受益于这一点。
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财产 |
价值 |
机械 |
密度 |
2.33通用/ cc |
硬度 |
1150年努 |
抗拉强度 |
16.4 kpsi |
弹性模量 |
18.8 - 27.3 x 106ψ |
抗弯强度 |
43.5 kpsi |
泊松比 |
0.28 |
断裂韧性 |
3 - 6 MPa m1/2 |
电 |
介电常数 |
11.8 (@ 1 MHz) |
体积电阻率 |
103ohm-cm |
热 |
热膨胀系数 |
2.6 x 106/°C |
热导率 |
156 W /可 |
比热 |
0.15大卡/ g°C |
最大工作温度 |
1350°C |
光学 |
折射率 |
1.54 |
传输带 |
0.30 - 37(微米)红外波长范围 |
所有属性都是在室温下,除非另有注明。
工程数据代表,并不打算作为绝对也不正当的。制造商的数据显示来自多个源的混合,因此说明了市场。
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