电子显微镜高导热率纹理B-Si3N4陶瓷中晶体取向评价GyD.F4y2Ba

Hiromi Nakano，Hiroshi Nakano和Koji WatariGyD.F4y2Ba

版权广告科技;被许可人Azom.com Pty Ltd.GyD.F4y2Ba

这是一个AZO开放式访问奖励系统（AZO-OARS）文章在AZO-OAR的条款下分发GyD.F4y2Ba//www.wireless-io.com/oars.asp.GyD.F4y2Ba在原稿被正确引用的情况下，允许不受限制的使用，但仅限于非商业发行和复制。GyD.F4y2Ba

AZojomo (ISSN 1833-122X)第2卷2006年5月GyD.F4y2Ba

主题GyD.F4y2Ba

抽象的GyD.F4y2Ba

关键词GyD.F4y2Ba

介绍GyD.F4y2Ba

实验的程序GyD.F4y2Ba

结果GyD.F4y2Ba

讨论GyD.F4y2Ba

结论GyD.F4y2Ba

参考文献GyD.F4y2Ba

联系方式GyD.F4y2Ba

埃菲尔州GyD.F4y2BaCT.GyD.F4y2Ba

βsiGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba具有高度取向晶粒的陶瓷显示沿胶束方向的高导热率。GyD.F4y2Ba为了清楚地了解陶瓷中微结构和导热率之间的关系，我们确定了每个谷物和晶界的取向程度。GyD.F4y2Ba这项工作的重点是高取向的β-SiGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba通过用种子颗粒铸造获得的陶瓷，然后进行热压和臀部。欧洲杯猜球平台GyD.F4y2Ba通过电子衍射法与电子背散衍射（EBSD）方法结合的电子衍射方法确定晶粒取向程度。GyD.F4y2Ba每个颗粒在来自TEM观察样本中的轴线的20度倾斜角度以20度倾斜角度定向。GyD.F4y2Ba此外，对微观结构数据和热数据之间的关系进行了比较和讨论各种类型的SiGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba陶瓷。GyD.F4y2Ba在这种情况下，高各向异性热导率的出现是由结晶性质、晶粒特征和晶粒纯度在液体烧结过程中造成的。GyD.F4y2Ba

关键词GyD.F4y2Ba

T.GyD.F4y2Ba对应的GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baonductivity，GyD.F4y2BaE.GyD.F4y2Balectron.GyD.F4y2BamGyD.F4y2BaIcroscopy，SiGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba那GyD.F4y2BaT.GyD.F4y2Baape-casting,GyD.F4y2BaGGyD.F4y2Ba雨GyD.F4y2BaO.GyD.F4y2Ba诽谤GyD.F4y2Ba

介绍GyD.F4y2Ba

因为如果GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba具有共价键合的六边形各向异性结构[1]，其导热率沿晶体轴线表现出强烈的各向异性。GyD.F4y2Ba帕托尔GyD.F4y2Ba等GyD.F4y2Ba。成功测量单粒β-Si粒的导热系数GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba通过热反射显微镜[2]。GyD.F4y2Ba结果表明，热导率沿GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba-axis是180毫米GyD.F4y2Ba^{－1GyD.F4y2Ba}K.GyD.F4y2Ba^{－1GyD.F4y2Ba}那沿着GyD.F4y2Ba一种GyD.F4y2Ba-axis是69倍GyD.F4y2Ba^{－1GyD.F4y2Ba}K.GyD.F4y2Ba^{－1GyD.F4y2Ba}。GyD.F4y2BaSi的同异系热导电性GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba用分子动力学计算证明了晶体的存在GyD.F4y2Ba等GyD.F4y2Ba[3]。GyD.F4y2Ba每个计算的理想值沿着GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba- Si的六边形结构的轴GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba比沿着那个大GyD.F4y2Ba一种GyD.F4y2Ba-轴;每个值包括导热率[4]，弹性恒定，声子速度和声子均值自由路径。GyD.F4y2Ba在以前的工作中，β-Si的晶粒取向GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba陶瓷采用带铸控制，热压烧结，随后采用热静压处理。GyD.F4y2Ba在β-Si的散装陶瓷中观察到各向异性导热率GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba受控晶粒取向[4]。GyD.F4y2Ba

在这个实验中，我们试图确定Si中每种谷物的方向GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba通过两种方法陶瓷具有受控晶粒取向。GyD.F4y2Ba利用扫描电子显微镜对整个烧结体进行了电子背散射衍射(EBSD)分析。GyD.F4y2Ba通过具有传统透射电子显微镜（TEM）的电子衍射方法进行详细分析。GyD.F4y2Ba根据所选择的区域衍射（SAD）图案计算来自基区轴的每个颗粒的倾斜角度，并且它们分别由颜色和颜色变化的色调表示。GyD.F4y2Ba此外，通过能量分散光谱（EDS）分析了晶界的微型化学。GyD.F4y2Ba在这里，我们讨论了导热系和微观结构之间的关系以及定向Si中的高导热率的原因GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba陶瓷。GyD.F4y2Ba

实验的程序GyD.F4y2Ba

虽然制造si的实验程序GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba每粒取向的陶瓷在别处已经详细地描述过了，这里只简要地提一下。αsiGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba5质量% Y粉末GyD.F4y2Ba_2GyD.F4y2BaO.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2Ba添加剂和5 Vol％棒状β-SiGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba随着种子颗粒混合。欧洲杯猜球平台GyD.F4y2Ba“社会党国际”GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba通过胶带铸造，切割和层压在100MPa下生产绿色纸张。GyD.F4y2Ba层压试样在2073k下热压2小时，在n下为40mPa单向压力GyD.F4y2Ba_2GyD.F4y2Ba流。GyD.F4y2Ba然后，将产物在2773 k下升高2小时GyD.F4y2Ba_2GyD.F4y2Ba气体压力为200mpa。GyD.F4y2Ba

EBSD方法采用FE-SEM (JSM-7000 F, JEOL，日本)，配备EBSD检测器(GyD.F4y2BaTSL Inc.）GyD.F4y2Ba。GyD.F4y2Ba样品以70度角安装在样品室中。GyD.F4y2Ba用EBSD扫描谱图[5]测定了晶粒的晶体取向。GyD.F4y2Ba

采用制备陶瓷薄膜的标准技术:切割、研磨、压痕、Ar-ion减薄和碳涂层来减小电子束下的电荷。GyD.F4y2Ba进行产品的微观结构表征GyD.F4y2Ba具有TEM（JEOL-3000F）器件，可以提供大约0.5nm的半最大（FWHM）的全宽的电子探针，并且通过能量分散X射线光谱通过能量分析的点分析的足够高的电流（eds）。GyD.F4y2Ba

结果GyD.F4y2Ba

本样本是β-SiGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba具有高度取向晶粒的陶瓷，如图1所示。GyD.F4y2Ba图1（a）和（b）分别示出了从平行的方向和垂直于胶带浇铸方向的方向拍摄的SEM图像。GyD.F4y2Ba通过胶带铸造制造后，颗粒在2773k下延长并在2773k下伸长。GyD.F4y2Ba透射电镜数据表明GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba大晶粒的-轴平行于铸带方向，如图1(c)所示。GyD.F4y2Ba另一方面，在图1（b）中，观察到成象晶粒，平均直径GyD.F4y2Ba8.GyD.F4y2BaμGyD.F4y2Bam，谷物受β-si的六边形结构的影响GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba。GyD.F4y2Ba白色对比表明非晶相从SIO中的液相沉淀出来GyD.F4y2Ba_2GyD.F4y2Ba-SI.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba- 我GyD.F4y2Ba_2GyD.F4y2BaO.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2Ba系统。GyD.F4y2Ba我们试图确定晶粒的结晶取向。GyD.F4y2Ba首先，利用EBSD法[5]对陶瓷的宏观结构进行了研究。GyD.F4y2BaEBSD方法快速且允许使用SEM进行更大的采样。GyD.F4y2Ba图1(d)所示为与图1(b)相对应的方向映射图像。GyD.F4y2Ba在EBSD图像中，几乎所有晶粒都是红色的，这意味着通过胶束在玻璃件中在[0001]方向上控制晶粒取向，除了另一种颜色的一部分：GyD.F4y2Bae。G。GyD.F4y2Ba紫色或浅蓝色。GyD.F4y2Ba然而，在该区域的某些地方，观测到的图像精度较低。GyD.F4y2Ba由于晶粒之间存在液相，使得晶界不清晰，其中绿色或浅黄色晶粒对应图1(b)中的白色对比，为非晶相。GyD.F4y2Ba

图1。GyD.F4y2Ba照片的GyD.F4y2BaβGyD.F4y2Ba-SI.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba通过胶带铸造，热压和随后的臀部烧结制造。（a）和（b）SEM图像，（c）TEM图像和SAD模式，（d）通过EBSD方法定向映射。（各种颜色被分配给晶体取向）GyD.F4y2Ba

接下来，我们通过常规TEM更准确地确定所选择的十颗粒的方向度。GyD.F4y2Ba基于[0001]区域轴，从每个晶粒的SAD模式测量倾斜角度。GyD.F4y2Ba表1显示了β-Si中各晶粒的取向GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba。GyD.F4y2Ba倾斜角度GyD.F4y2BaϕGyD.F4y2Ba和GyD.F4y2BaθGyD.F4y2Ba通过以下等式计算。GyD.F4y2Ba

ϕGyD.F4y2Ba= Cos.GyD.F4y2Ba^{－1GyD.F4y2Ba}（Cos.GyD.F4y2BaXGyD.F4y2Ba⋅因为GyD.F4y2BayGyD.F4y2Ba）............ ..（1）GyD.F4y2Ba

θGyD.F4y2Ba= Tan.GyD.F4y2Ba^{－1GyD.F4y2Ba}（GyD.F4y2Ba ）.................. ......（2）GyD.F4y2Ba

XGyD.F4y2Ba和GyD.F4y2BayGyD.F4y2Ba沿角度测量GyD.F4y2BaXGyD.F4y2Ba-axis和GyD.F4y2BayGyD.F4y2Ba-轴，分别在瞬变电磁法装置。GyD.F4y2Ba

φGyD.F4y2Ba倾斜角度是从基础轴线的倾斜角度。GyD.F4y2Ba

θ是在二维平面上倾斜的方向。GyD.F4y2Ba

表1。GyD.F4y2Baβ-si中每种谷物的定向GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba陶瓷由TEM确定。GyD.F4y2Ba

*谷物数对应图2中的数字。GyD.F4y2Ba

这些程度GyD.F4y2BaφGyD.F4y2Ba和GyD.F4y2BaθGyD.F4y2Ba可以分别由颜色和颜色变化的色调表示。GyD.F4y2Ba图2显示了TEM图像和彩色图像。GyD.F4y2Ba晶粒间的暗对比显示为非晶相。GyD.F4y2Ba如各种颜色所示的各个方向上的每个晶粒，并且在观察样本的该区域中的最大倾斜角度为20度，如彩色图像中的数字所示。GyD.F4y2Ba调查结果显示，每种β-Si谷物的取向GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba受到该合成程序的高度控制。GyD.F4y2Ba

图2。GyD.F4y2Ba用电子衍射法测定各晶粒的TEM图像和取向。纹理的倾斜度被指定为色调，倾斜度的方向被指定为颜色的变化。GyD.F4y2Ba

图3为双晶界(图2中2号和5号)的透射电镜图像和晶界区域的化学成分数据。GyD.F4y2Ba插图是一个SAD模式从两个颗粒。GyD.F4y2Ba这两个晶粒从[0001]区轴上略微倾斜，在它们之间有一个非晶态边界膜。GyD.F4y2Ba晶状体膜的厚度为<1nm，由液相烧结与Y形成GyD.F4y2Ba_2GyD.F4y2BaO.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2Ba添加剂[6、7]。GyD.F4y2Ba

图3。GyD.F4y2Ba（a）TEM图像和（b）晶粒2和晶粒之间的晶界的EDS光谱5.插入件是从边界的两个颗粒获得的悲伤模式。GyD.F4y2Ba

讨论GyD.F4y2Ba

表2显示了Si的导热率值GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba通过各种方法获得。GyD.F4y2Ba（No.4的值对应于本材料。）GyD.F4y2Ba

表2:GyD.F4y2Ba比较了硅的导热系数GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba陶瓷。GyD.F4y2Ba

导热率与晶体结构密切相关。GyD.F4y2Baα- si与β-Si的导热系数之差GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba是由堆叠顺序造成的吗GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba-direction，其中Si-n层被堆叠为ABCD ... .abcd在α-Si中GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba以及β-Si中的ABGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba[7]。GyD.F4y2Ba模拟值与实验值之间的差异是由以下因素造成的:晶粒缺陷，晶界处的非晶相，杂质，GyD.F4y2Ba等GyD.F4y2Ba[8]。GyD.F4y2Baβ-Si的导热率值的比例GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba沿着GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba——轴与GyD.F4y2Ba一种GyD.F4y2Ba设在(GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba/GyD.F4y2Ba一种GyD.F4y2Ba)的范围为2.33 ~ 2.98，如表2所示。GyD.F4y2Ba结果表明，每个谷物的各向异性导热率大大撞击了胶带铸造制造的散装陶瓷。GyD.F4y2Ba我们注意到第3号和第4号之间的价值观差异，在髋关节过程之前和之后。GyD.F4y2Ba在之前的文章[4]中，我们观察到了HIP处理前后的晶粒尺寸差异。GyD.F4y2Ba然而，如前所述，室温下的导热率无关，如前所未有的Watari等[9]。GyD.F4y2Ba其原因可能是声子的平均自由程比粒径短。GyD.F4y2Ba晶粒尺寸为1μm，而理想的声子是指β-si的自由路径GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba计算为沿23nm和52nmGyD.F4y2Ba一种GyD.F4y2Ba- 和GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba- 分别[2]。GyD.F4y2Ba因此，第3号和第4号之间的差异是由谷物纯度的差异引起的。GyD.F4y2Ba换句话说，在髋关节治疗期间晶粒的内部缺陷降低。GyD.F4y2BaMitomo报道[7] SI的液体烧结过程的每一步GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba，其中小β-siGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba粉末在大β-Si上熔化并沉淀GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba通过2023K以上的气体压力烧结谷物。GyD.F4y2Ba我们认为杂质溶解在液相和纯Si中GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba被沉淀，大颗粒变得更大。GyD.F4y2BaSi中晶粒生长的顺轴GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba谷物是GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba六方结构[5]的-轴。GyD.F4y2Ba由于控制每个谷物的取向，晶粒尺寸变得非常长GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba-方向。GyD.F4y2Ba

在SI的情况下GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba，导热率低于SiC的SiC与Beo添加剂[10]和ALN与YGyD.F4y2Ba_2GyD.F4y2BaO.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2Ba添加剂[11]。GyD.F4y2Ba这种原因是在多粒结处存在大量的非晶材料，其具有短声头均值的可自由路径，导致导热性低。GyD.F4y2Ba然而，晶界处的液相有效地促进了晶粒取向[12]。GyD.F4y2Ba因此，每个谷物的导热率的各向异性大大影响了散装定向的晶粒。GyD.F4y2Ba

结论GyD.F4y2Ba

在β-Si中展示了导热性的各向异性GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba当每个谷物通过胶带浇铸定向时，然后在2773k时热压和臀部。GyD.F4y2Ba每个谷物的晶体取向可以通过EBSD方法和电子衍射方法来确定。GyD.F4y2Ba结果，每个颗粒在来自TEM观察样本中的碱性轴的轴轴上高度取向20度。GyD.F4y2Ba假设这是通过液相烧结有效实现的。GyD.F4y2Ba结果表明，每个谷物的导热系数的各向异性大大影响了通过胶水铸造的散装材料取向颗粒的大大影响。GyD.F4y2Ba此外，谷物沿着青睐方向增长GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba- 在2773k的液相烧结中溶解沉淀机制期间在液相烧结过程中。GyD.F4y2Ba在晶粒长大过程中，晶粒中的杂质减少，β-Si中出现了高导热性GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba陶瓷具有高度取向的谷物。GyD.F4y2Ba

参考文献GyD.F4y2Ba

1。GyD.F4y2Bam .守”液体GyD.F4y2BaP.GyD.F4y2Ba哈泽GyD.F4y2BaS.GyD.F4y2Ba相交GyD.F4y2BaS.GyD.F4y2BailiconGyD.F4y2BaNGyD.F4y2BaITRIDE“，M.陶瓷，30（5）（1995）395-398 [日语]。GyD.F4y2Ba

2。GyD.F4y2Ba公元前。Li，L. Pottier，J.P. Roger，D. Fournier，K. Watari和K. Hirao，“通过热反射显微镜测量氮化硅颗粒的各向异性热扩散，”J.欧元。Ceram Soc。，19（1999）1631-39。GyD.F4y2Ba

3.GyD.F4y2BaN.Hirosaki，S.Ogata，C. Kocer，H. Kitagawa和Y.Nakamura，分子GyD.F4y2BaD.GyD.F4y2Baynamics.GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba撒布胺GyD.F4y2Ba一世GyD.F4y2Ba交易GyD.F4y2BaT.GyD.F4y2Ba对应的GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba一度的GyD.F4y2BaS.GyD.F4y2Baingle-crystalα,GyD.F4y2BaβGyD.F4y2Ba-SI.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba“，物理评论B，（65）（2002）134110。GyD.F4y2Ba

4。GyD.F4y2BaK. Watari, K. Hirao, M. Brito, M. Toriyama和S. Kanzaki，《热》GyD.F4y2Ba一世GyD.F4y2BasGyD.F4y2BaP.GyD.F4y2Ba无菌敷料,GyD.F4y2Ba一世GyD.F4y2BaNcrease.GyD.F4y2BaT.GyD.F4y2Ba对应的GyD.F4y2BaCGyD.F4y2BaSI的onductivityGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baeramics“，J.GyD.F4y2BamGyD.F4y2Baater。Res，14（4）（1999）1538-1541。GyD.F4y2Ba

5。GyD.F4y2BaY. Yasutomi，Y.Sakaida，N.Hirosaki和Y.Ikuhara，“细长的晶体取向分析GyD.F4y2BaβGyD.F4y2Ba-SI.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba粒欧洲杯猜球平台子在GyD.F4y2Ba原位GyD.F4y2BaSI.GyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba电子背散射衍射法合成，" J.陶瓷。Soc。日本。那10.6.（19.9.8.）9.8.0-83.

6。GyD.F4y2BaH.-j。Kleebe，“结构和GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Bahemistry的GyD.F4y2Ba一世GyD.F4y2Ba在Si nterfacesGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baeramics.GyD.F4y2BaS.GyD.F4y2Ba测定了GyD.F4y2BaT.GyD.F4y2Ba巡逻GyD.F4y2BaE.GyD.F4y2Balectron.GyD.F4y2BamGyD.F4y2Baicroscopy”,j .陶瓷。Soc。日本。那105.（6.）（19.9.7.） 453-475.

7。GyD.F4y2BaMitomo，“进展。GyD.F4y2BaS.GyD.F4y2BailiconGyD.F4y2BaNGyD.F4y2Baitride和GyD.F4y2BaS.GyD.F4y2BaIalon.GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba陶瓷"，陶瓷，38(9)(2003)668-685[日文]。GyD.F4y2Ba

8。GyD.F4y2BaK. Watari和H. Nakano“微观结构和GyD.F4y2BaT.GyD.F4y2Ba对应的GyD.F4y2BaCGyD.F4y2BaonductivityGyD.F4y2BamGyD.F4y2Ba机械GyD.F4y2BaHGyD.F4y2Ba感谢GyD.F4y2BaT.GyD.F4y2Ba对应的GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baonductivity aln.GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Ba《陶瓷》，第39卷9期(2004)678-683[日文]。GyD.F4y2Ba

9。GyD.F4y2Ba9. K. Watari，K. Hirao，M. Toriyam和K. Ishizaki，“效果”GyD.F4y2BaGGyD.F4y2Ba雨GyD.F4y2BaS.GyD.F4y2BaIze在这件上GyD.F4y2BaT.GyD.F4y2Ba对应的GyD.F4y2BaCGyD.F4y2BaSI的onductivityGyD.F4y2Ba_3.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2Ba_4.GyD.F4y2Ba“，J.IA。陶瓷。SOC。，82（3）（1999）777-79。GyD.F4y2Ba

10。GyD.F4y2Ba10. H. Nakano，K. Watari，Y. Kinemuchi，K.Ishizaki和K. Urabe，“微观结构GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baharacterization的GyD.F4y2BaHGyD.F4y2Baigh-thermal水蒸汽凝华原文如此GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baeramics”,j .欧洲。陶瓷。Soc。那24.那（2004) 3658-3690.

11.GyD.F4y2Ba11. H. Nakano，K. Watari，Y.Kinemuchi，H. Hayashi和K. Urabe，“微观结构GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baharacterization的GyD.F4y2BaHGyD.F4y2BaIHIGH导热率GyD.F4y2Ba一种GyD.F4y2BaLuminum.GyD.F4y2BaNGyD.F4y2BaitrideGyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baeramic“，J.I。陶瓷。SOC。，85（12）（2002）3093-95。GyD.F4y2Ba

12.GyD.F4y2Ba12. S. igarashi，“DenshiGyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baeramics没有GyD.F4y2BaR.GyD.F4y2Ba玉石GyD.F4y2BaHGyD.F4y2BaaikouGyD.F4y2BaGGyD.F4y2Baizyutu”、电子GyD.F4y2BaCGyD.F4y2Baeramics，7，（1991）4-10 [日语]。GyD.F4y2Ba

联系方式GyD.F4y2Ba