砷化镓(GaAs)半导体

砷化镓是III / V半导体，与硅相比具有高电子迁移率和高饱和的电子速度，使由砷化镓制成的晶体管能够以超过250GHz的频率起作用。

由于它们的宽带隙，砷化镓器件对热量不敏感。而且，这些装置通常具有比硅装置更少的噪声，尤其是在高工作频率下。

应用程序

砷化镓的应用如下所列：

• 砷化镓可用于制造诸如单片微波集成电路，微波频率集成电路，红外发光二极管，太阳能电池，激光二极管和光学窗口的装置。
• GaAs具有直接的带隙，与许多其他半导体不同，暗示它可以以高效率发光。作为直接的带隙材料，它可能抵抗辐射损伤，从而使其在高功率应用中的光学窗口和空间电子器件中使用。
• 它也被用作电气衬底，并提供电路和设备之间的自然隔离。这使得它适用于毫米波和微波集成电路。
• 基于砷化镓的太阳能电池为探索火星表面的机遇号和勇气号探测车提供动力。许多太阳能汽车在太阳能电池阵中使用了砷化镓。
• GaAs二极管用于检测X射线。

化学性质

砷化镓的化学性质在下表中提供：

化学性质
化学公式	Gaas.
分子量	144.645
CAS编号	1303-00-0
iupac名称	砷化镓
团体	III-V.
乐队差距	1.424 EV.
带隙类型	直接的
水晶结构	锌勃朗德
对称组	T.D.2-F43m
格子常数	5.4505

电气特性

砷化镓的电性能如下表所示:

电气特性
内在载体浓度	1.79 x 10.6.厘米－3
电子机动性	≤8500厘米2V.－１S.－１
空穴迁移率	≤400厘米2V.－１S.－１
电子扩散系数	≤200厘米2S.－１
空洞扩散系数	≤10cm2S.－１

热，机械和光学性能

砷化镓的热、力学和光学特性如下表所示:

机械性能
熔点	1238°C
密度	5.3176克厘米－3
杨氏模量	82.68 GPA.
散装模量	平均绩点75.5

热性能
热导率	0.55 W厘米－１°C－１
热扩散率	0.31厘米2S.－１
热膨胀系数	5.73x10－6°C－１

光学性质
折射率（589 nm @ 293 k）	3,3
辐射复合系数(@ 300k)	7x10-10厘米3.S.－１

安全信息

安全信息
GHS危险陈述	NA
危险码	T-Toxic N - 对环境危险
风险代码	吸入有毒 R25：吞咽毒性 R50：对水生生物有毒性 R53:可能对水生环境造成长期不利影响
安全须知	S 20 / 21-28-45-60-61

资料来源：Azom.