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应用程序
化学性质
电气性能
热,机械和光学性质
安全信息
描述
砷化铟是一种由砷和铟组成的半导体材料。该半导体的熔点为942°C,以立方结构的灰色晶体形式出现。它与砷化镓非常相似,是一种具有直接带隙的材料。砷化铟因其窄能带和高电子迁移率而广受欢迎。
应用程序
砷化铟的应用如下:
砷化铟用于构建波长范围为1-3.8 μ m的红外探测器。探测器通常是光伏光电二极管。
低温冷却的探测器噪音低,但InAs探测器也可以在室温下用于大功率应用。
二极管激光器也是用砷化铟制造的。
砷化铟与砷化镓相似,是一种直接带隙材料。
它被用作太赫兹辐射源。
在砷化镓或磷化铟的单分子层中形成量子点是可能的
在砷化镓基体中以砷化铟点的形式形成量子点也是可能的。
化学性质
砷化铟的化学性质如下表所示:
化学性质 |
化学公式 |
在 |
分子量 |
189.74 |
化学文摘登记号 |
1303-11-3 |
国际命名 |
砷化铟(III) |
集团 |
NA |
带隙 |
0.354电动汽车 |
带隙型 |
直接 |
晶体结构 |
闪锌矿 |
对称群 |
Td2-F43m |
晶格常数 |
6.0583埃 |
电气性能
砷化铟的电性能如下表所示:
电气性能 |
内在载体浓度 |
1 x 1015厘米-3 |
电子迁移率 |
≤4 × 104cm2V-1年代-1 |
空穴迁移率 |
≤5 x102厘米2V-1年代-1 |
电子扩散系数 |
≤103.厘米2年代-1 |
孔扩散系数 |
≤13厘米2年代-1 |
热,机械和光学性质
砷化铟的热、机械和光学性能如下表所示:
机械性能 |
熔点 |
942°C |
密度 |
5.67 g厘米-3 |
热性能 |
热导率 |
0.27 W厘米-1°C-1 |
热扩散率 |
0.19厘米2年代-1 |
热膨胀系数 |
4.52 x10-6°C-1 |
光学性质 |
红外折射率(@ 300k) |
3.51 |
辐射复合系数(@ 300k) |
1.1 x10-10年厘米3.年代-1 |
安全信息
安全信息 |
gh风险声明 |
NA |
危险代码 |
T -有毒 N -对环境有危险 |
风险代码生物 |
吸入有毒性 吞食是有毒的 R50:对水生生物有极高毒性 |