砷化铟(InAs)半导体

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描述
应用程序
化学性质
电气性能
热,机械和光学性质
安全信息

描述

砷化铟是一种由砷和铟组成的半导体材料。该半导体的熔点为942°C,以立方结构的灰色晶体形式出现。它与砷化镓非常相似,是一种具有直接带隙的材料。砷化铟因其窄能带和高电子迁移率而广受欢迎。

应用程序

砷化铟的应用如下:

  • 砷化铟用于构建波长范围为1-3.8 μ m的红外探测器。探测器通常是光伏光电二极管。

  • 低温冷却的探测器噪音低,但InAs探测器也可以在室温下用于大功率应用。

  • 二极管激光器也是用砷化铟制造的。

  • 砷化铟与砷化镓相似,是一种直接带隙材料。

  • 它被用作太赫兹辐射源。

  • 在砷化镓或磷化铟的单分子层中形成量子点是可能的

  • 在砷化镓基体中以砷化铟点的形式形成量子点也是可能的。

化学性质

砷化铟的化学性质如下表所示:

化学性质
化学公式
分子量 189.74
化学文摘登记号 1303-11-3
国际命名 砷化铟(III)
集团 NA
带隙 0.354电动汽车
带隙型 直接
晶体结构 闪锌矿
对称群 Td2-F43m
晶格常数 6.0583埃

电气性能

砷化铟的电性能如下表所示:

电气性能
内在载体浓度 1 x 1015厘米-3
电子迁移率 ≤4 × 104cm2V-1年代-1
空穴迁移率 ≤5 x102厘米2V-1年代-1
电子扩散系数 ≤103.厘米2年代-1
孔扩散系数 ≤13厘米2年代-1

热,机械和光学性质

砷化铟的热、机械和光学性能如下表所示:

机械性能
熔点 942°C
密度 5.67 g厘米-3
热性能
热导率 0.27 W厘米-1°C-1
热扩散率 0.19厘米2年代-1
热膨胀系数 4.52 x10-6°C-1
光学性质
红外折射率(@ 300k) 3.51
辐射复合系数(@ 300k) 1.1 x10-10年厘米3.年代-1

安全信息

安全信息
gh风险声明 NA
危险代码 T -有毒
N -对环境有危险
风险代码生物 吸入有毒性
吞食是有毒的
R50:对水生生物有极高毒性


引用

请在你的文章、论文或报告中使用下列格式之一来引用这篇文章:

  • 美国心理学协会

    ESPI金属。(2013年9月10日)。砷化铟(InAs)半导体。AZoM。于2021年10月04日从//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8355检索。

  • MLA

    ESPI金属。“砷化铟(InAs)半导体”。AZoM.2021年10月04。< //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8355 >。

  • 芝加哥

    ESPI金属。“砷化铟(InAs)半导体”。AZoM。//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8355。(2021年10月4日生效)。

  • 哈佛大学

    ESPI金属。2013。砷化铟(InAs)半导体.viewed september 21, //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8355。

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