2013年4月19日
主题
描述
应用程序
化学性质
电气性能
热、机械和光学性质
安全信息
描述
磷化铟(InP)包括磷和铟和是一个二进制的半导体。它有一个闪锌矿晶体结构类似于砷化镓和几乎所有的III-V半导体。
应用程序
磷化铟发现应用程序在下面:
- 它有优越的电子速度由于它用于高频和高功率电子产品。
- 它有一个直接的能带与许多半导体因此用于激光二极管等光电设备。
- 磷化铟也用作基质基于外延砷化镓铟光电设备。
化学性质
磷化铟的化学性质提供了下面的表格:
化学性质 |
化学公式 |
可使 |
分子量 |
145.792克/摩尔 |
化学文摘登记号 |
22398-80-7 |
国际命名 |
磷化铟 |
集团 |
III-V |
带隙 |
1.344电动汽车 |
带隙型 |
直接 |
晶体结构 |
闪锌矿 |
对称群 |
Td2-F43m |
晶格常数 |
5.8687埃 |
电气性能
磷化铟的电特性提供了下面的表格:
电气性能 |
内在载体浓度 |
2 x1016厘米3 |
电子迁移率 |
≤400厘米2V1年代1 |
空穴迁移率 |
≤200厘米2V1年代1 |
电子扩散系数 |
≤130厘米2年代1 |
孔扩散系数 |
≤5厘米2年代1 |
电阻率 |
8.6 x107Ωcm |
热、机械和光学性质
磷化铟的热力、机械和光学特性提供了如下表:
机械性能 |
熔点 |
1062°C |
密度 |
4.81 g厘米3 |
体积弹性模量 |
7.1 x1011达因厘米2 |
热性能 |
热导率 |
0.68 W厘米1°C1 |
热扩散率 |
0.372厘米2年代1 |
热膨胀系数 |
4.60 x106°C1 |
光学性质 |
折射率(589海里@ 293 K) |
3.1 |
辐射复合系数(@ 300 K) |
1.2 x10-10年厘米3年代1 |
安全信息
HMIS危害等级:
- 健康:3 -重大人身伤害的可能,除非医疗行动和及时的治疗
- 可燃性:2必须适度加热或暴露于高
- 环境温度在点火之前发生
- 反应性:2 -可能在正常的温度和压力进行暴力chemicalchanges爆炸的风险较低
- 可能与水剧烈反应或形成过氧化物在暴露在空气中。