磷化铟(InP)半导体

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描述
应用程序
化学性质
电气性能
热、机械和光学性质
安全信息

描述

磷化铟(InP)包括磷和铟和是一个二进制的半导体。它有一个闪锌矿晶体结构类似于砷化镓和几乎所有的III-V半导体。

应用程序

磷化铟发现应用程序在下面:

  • 它有优越的电子速度由于它用于高频和高功率电子产品。
  • 它有一个直接的能带与许多半导体因此用于激光二极管等光电设备。
  • 磷化铟也用作基质基于外延砷化镓铟光电设备。

化学性质

磷化铟的化学性质提供了下面的表格:

化学性质
化学公式 可使
分子量 145.792克/摩尔
化学文摘登记号 22398-80-7
国际命名 磷化铟
集团 III-V
带隙 1.344电动汽车
带隙型 直接
晶体结构 闪锌矿
对称群 Td2-F43m
晶格常数 5.8687埃

电气性能

磷化铟的电特性提供了下面的表格:

电气性能
内在载体浓度 2 x1016厘米3
电子迁移率 ≤400厘米2V1年代1
空穴迁移率 ≤200厘米2V1年代1
电子扩散系数 ≤130厘米2年代1
孔扩散系数 ≤5厘米2年代1
电阻率 8.6 x107Ωcm

热、机械和光学性质

磷化铟的热力、机械和光学特性提供了如下表:

机械性能
熔点 1062°C
密度 4.81 g厘米3
体积弹性模量 7.1 x1011达因厘米2
热性能
热导率 0.68 W厘米1°C1
热扩散率 0.372厘米2年代1
热膨胀系数 4.60 x106°C1
光学性质
折射率(589海里@ 293 K) 3.1
辐射复合系数(@ 300 K) 1.2 x10-10年厘米3年代1

安全信息

HMIS危害等级:

  • 健康:3 -重大人身伤害的可能,除非医疗行动和及时的治疗
  • 可燃性:2必须适度加热或暴露于高
  • 环境温度在点火之前发生
  • 反应性:2 -可能在正常的温度和压力进行暴力chemicalchanges爆炸的风险较低
  • 可能与水剧烈反应或形成过氧化物在暴露在空气中。

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