2013年5月2
铝砷化镓(AlxGa1-xAs)是一种半导体材料，与砷化镓具有几乎相同的晶格常数，但具有更大的带隙。公式中的x是0到1之间的一个数字，表示砷化镓和砷化铝之间的合金。
禁带范围为1.42 eV (GaAs)到2.16 eV (AlAs)。当x < 0.4时，带隙是直接的。
应用程序
铝镓砷化物的应用有:
- 它用作基于GaAs的异质结构装置的阻挡材料。
- 通过Algaas层将电子局限于砷化镓区域。这种装置的一个例子是量子阱 - 红外光电探测器（QWIP）。
- 在1064nm(红外)激光二极管中也有应用。
化学性质
铝镓砷化物的化学性质是：
| 化学性质 |
| 化学式 |
AlGaAs |
| 集团 |
III-V |
| 带隙 |
1.42 - 2.16 eV |
| 带隙型 |
直接当x < 0.4 |
| 晶体结构 |
闪锌矿 |
| 对称群 |
TD2-f43m. |
| 晶格常数 |
5.6533 + 0.0078 x |
电气性能
铝镓砷化物的电性能是：
| 电气性能 |
| 内在载体浓度 |
x = 0.1 2.1•105厘米-3
x = 0.3 - 2.1×103厘米-3
x = 0.5 - 2.5×102厘米-3
x = 0.8 4.3•101厘米-3 |
| 电子迁移率 |
02 V.1-1
0.452V-1年代-1 |
| 空洞流动性 |
370-970x + 740x2 cm2V-1年代-1 |
| 电子扩散系数 |
02 / s.
0.452 /秒 |
| 孔扩散系数 |
9.2-24x + 18.5x2 cm2/秒 |
| 电阻率 |
x = 02 / s
0.452 /秒 |
热，机械和光学性能
铝镓砷化物的热、机械和光学性能如下:
| 机械性能 |
| 熔点 |
1414℃ |
| 密度 |
2.329 g厘米-3 |
| 年轻的模量 |
130 - 188年的平均绩点 |
| 剪切模量 |
51 - 80年平均绩点 |
| 体积弹性模量 |
（7.55 + 0.26x）•1011达克厘米-2 |
| 比热(@ 298k) |
0.33 + 0.12 x J g-1°C.-3 |
| 热性能 |
| 热导率 |
0.55-2.12x+2.48x2 W cm-1°C-1 |
| 热扩散率 |
0.31 - -1.23 x + 1.462平方厘米-1 |
| 热膨胀系数 |
2.6 x10-6°C-1 |
| 光学性质 |
| 红外折射率(@ 300k) |
n = 3.3-0.53x + 0.09x2 |
安全信息
砷化铝镓的毒理学研究还不完全。灰尘可能会刺激眼睛、皮肤和肺部。