锑化镓砷化物,GaAsSb (GaAs1-xSbx)半导体

主题

描述
化学性质
热、机械和光学性质

描述

锑化砷化镓半导体化合物包括元素镓、砷和锑。它是砷化镓的合金(砷化镓)和锑化镓(GaSb)——与这些组件的比例通常用“x”在化学公式。

大多数应用程序使用一个高比例的砷化镓- x是典型值约为0.3或更低。锑化镓砷化物的性能严重依赖于x的值。本文使用x = 0.3属性的默认值。

化学性质

锑化镓砷化物的化学性质提供了下面的表格:

化学性质
化学公式 砷化镓1 - x某人x
集团 III-V
带隙 0.96电动汽车
带隙型 直接
晶体结构 闪锌矿
对称群 Td2-F43m
晶格常数 5.8687

热、机械和光学性质

热、机械和光学特性提供了锑化镓砷化物如下表:

机械性能
熔点 1062°C
密度 5.4 g厘米3
体积弹性模量 6.7 x1010巴勒斯坦权力机构
热性能
热导率 0.68 W厘米1°C1
热扩散率 0.372厘米2年代1
热膨胀系数 4.60 x106°C1
光学性质
红外折射率(300 K) 3.46

引用

请使用以下格式之一本文引用你的文章,论文或报告:

  • 美国心理学协会

    ESPI金属。(2021年2月04)。锑化镓砷化物,GaAsSb (GaAs1-xSbx)半导体。AZoM。检索2021年7月16日,来自//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8366。

  • MLA

    ESPI金属。“锑化镓砷化物,GaAsSb (GaAs1-xSbx)半导体”。AZoM。2021年7月16日。< //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8366 >。

  • 芝加哥

    ESPI金属。“锑化镓砷化物,GaAsSb (GaAs1-xSbx)半导体”。AZoM。//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8366。(2021年7月16日通过)。

  • 哈佛大学

    ESPI金属。2021。锑化镓砷化物,GaAsSb (GaAs1-xSbx)半导体。AZoM,认为2021年7月16日,//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8366。

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