氮化镁(INGAN)半导体

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化学性质
电性能
机械和光学特性
最近的发展

描述

氮化酰胺基是一种半导体材料,由硝化酰胺和氮化壳的混合物制成。它是三元组III/V直接带隙半导体,可以通过调整合金中的凹量来调整带隙。

氮含量的量子异质结构通常是由INGAN活性层的GAN开发的,因为Ingan可以与其他材料(例如Algan,gan on Sic,Sapphire和Silicon)结合使用。欧洲杯足球竞彩尽管尚未对Ingan的毒理学进行彻底研究,但其尘埃颗粒是对肺,眼睛和皮肤的刺激性。欧洲杯猜球平台

申请

氮化辅助剂在以下内容中找到了应用:

  • 太阳能光伏设备
  • 量子井
  • 现代的蓝色和绿色LED。

化学性质

下表提供了氮化酰胺的化学性质:

化学性质
化学式 英丹
CAS号 7440-74-6
团体 indium - 13
甘露 - 13
氮-15
晶格常数 4.360Å

电性能

下表提供了氮化酰胺凝胶剂的电性能:

电性能
电阻率(@675°C) 7.81 x 10-3ω厘米
电子密度 3.27 x 1019厘米-3
固有载体浓度 1018厘米-3
乐队差距 2.5 ev
霍尔机动性 47.3厘米2/vs

机械和光学特性

下表中提供了氮化酰胺酰胺剂的机械和光学性质:

机械性能
弹性模量 57.9 GPA
剪切模量 6.46 GPA
光学特性
折射率 2.59

最近的发展

现在,先进的蓝色硝化液发射二极管被用作一般照明的现有基础设施的替代。技术的进一步进步将导致对将该材料技术纳入照明模块的模式进行重新审查,从而通过减少与操作相关的不良热效应来控制光的分布,转换和提取光。

Kim等人(2011年)介绍了各向异性蚀刻,模块配置和微观设备组装/集成的方法,以非常规的方式克服这些挑战。演示证明,通过薄膜金属化直接热传输可以被动地冷却小的分布式LED,从而提供了增强且可扩展的方法,以将这些设备集成到模块中以供白光生成。

氮气含量具有强大的吸收和其他光电特性和宽范围的带隙,氮化壳具有巨大的潜力。

McLaughlin D(2011)使用各种表征技术研究了氮化膜薄膜的性质。这些薄膜在特定的沉积条件下在纳米颜色的微观结构中生长。

发现这些薄膜具有与依赖含量间接相关的带隙的非常强的吸收系数。然而,他们遭受了具有强烈的声子耦合的组成不均匀性和相关的缺陷复合物,从而影响发射机制。因此,这项研究证明,氮化淀粉合金适用于多结太阳能电池应用。

引用

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  • APA

    ESPI金属。(2015年6月10日)。氮化镁(INGAN)半导体。azom。于2021年7月1日从//www.wireless-io.com/article.aspx?articleId=8484检索。

  • MLA

    ESPI金属。“氮化岩(INGAN)半导体”。azom。2021年7月1日。

  • 芝加哥

    ESPI金属。“氮化岩(INGAN)半导体”。azom。//www.wireless-io.com/article.aspx?articleId=8484。(2021年7月1日访问)。

  • 哈佛大学

    ESPI金属。2015。氮化镁(INGAN)半导体。Azom,2021年7月1日,//www.wireless-io.com/article.aspx?articleId=8484。

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