砷化镓磷化(GaAsP)半导体

砷化镓磷化物是半导体材料和磷化镓和砷化镓的合金。它存在于其公式中的X表示的各种组合物比中。

应用程序

砷化镓磷化物通常在磷化镓基材上开发，以形成间隙/ GaASP异质结构。它用于制造红色，橙色和黄色发光二极管。使用砷化镓 - 磷化镓制造了具有长时间使用寿命和高稳定性的平面结构红色半导体灯。它也掺杂有氮以调节其电子性质。

化学性质

砷化镓磷化镓的化学性质提供在下表中：

化学性质
化学公式	盖
CAS编号	210471-34-4
团体	镓- 13 砷- 15 磷- 15

电气性能

砷化镓磷化的电性能如下表所示:

电气性能
内在载流子浓度（@ x = 0.45）	18.9 x 10.-18厘米3
带隙(@ x = 0.45)	1.98电动汽车
电子迁移率(@ x = 0.45)	260厘米2/与

最近的发展

通过添加放置在阵列顶部的GaASP太阳能电池，可以提高基于硅太阳能电池的系统的能量转换效率。Mcneely，JB等人（1984）在透明间隙基板上制造了GaASP太阳能电池。

太阳能电池可以与双线系统的硅太阳能电池串联放置，或者阵列可以分别接合四线系统。发现顶部太阳能电池具有1.77和2.09eV之间的能隙，以实现最佳的能量转换效率。

Ames GH(1996)提出了利用量子限制Stark效应的综合模型对InGaAsP多量子阱电吸收调制器性能的理论分析。

通过计算器件长度、孔数、孔宽度、屏障宽度、孔组成和施加电压等数千种设计组合，将该理论模型用于优化调制器器件设计。

从实验结果观察到，可以用称为3DB亨利因子的特定啁啾参数的负值进行优化的远程传输性能。而且，通过最佳选择装置长度，井数和屏障宽度可以减少损耗，而可以通过光放大器补偿。因此，可以使用该模型选择最佳井宽。