砷化锑化铟(InAsSbP)半导体

涵盖的主题

描述
应用程序
化学性质
最近的进展

描述

砷化铟锑化磷化料是一种可以生长锑化镓、砷化铟等材料的半导体材料。欧洲杯足球竞彩

应用程序

砷化锑化铟磷化物有以下用途:

  • 它已被广泛用作半导体激光器结构的阻挡层
  • 光电探测器
  • 热光伏电池
  • 中红外发光二极管。

化学性质

砷化铟锑化磷化物的化学性质如下表所示:

化学性质
化学式 INASBP
CAS号。 177408-89-8
铟-13
砷化物-15
锑化物-15
磷- 15

最近的进展

Wu, Di(1999)研究并开发了采用低压金属-有机化学气相沉积法生长的砷化铟锑化物磷化基激光结构。利用各种表征技术对生长速率和生长温度等条件进行了评价和优化。

通过器件建模和激光性能反馈,对激光结构进行了设计和改进。此外,通过研究光致发光强度的温度依赖性,研究了复合过程和载流子泄漏。

通过建模,优化了结构参数,如临界厚度、井数、井厚和波导厚度。结果表明,砷化锑化铟磷化物是一种有前景的应用于深中波红外激光器的候选材料。

引用

请使用以下格式之一在您的论文、论文或报告中引用本文:

  • 美国心理学协会

    ESPI金属。(2013年9月10日)。砷化铟-磷化锑(InASBP)半导体。亚速姆。于2021年10月2日从//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8514.

  • MLA

    ESPI金属。“磷化砷化锑化铟(InASBP)半导体”。亚速姆.2021年10月02。< //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8514 >。

  • 芝加哥

    ESPI金属。“磷化砷化锑化铟(InASBP)半导体”。亚速姆。//www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8514. (查阅日期:2021年10月2日)。

  • 哈佛大学

    ESPI金属。2013砷化锑化铟(InAsSbP)半导体.AZoM, viewed september 21, //www.wireless-io.com/article.aspx?ArticleID=8514。

告诉我们你的想法

您是否有评论、更新或任何您想添加到本文中的内容?

留下你的反馈
提交