为了表征封装过程的可靠性,并识别封装中存在的或潜在的故障,特别是在具有复杂线键合的封装中,需要确定封装前和封装后的线连接的尺寸和距离。传统的测量方法繁琐且具有破坏性,因此测量特定部位上的单根导线是可行的。
versaxrm.
Versaxrm系列的高分辨率和3D功能提供了完整的非破坏性方法,以确定有线键的基本参数。图1中示出了3D数据电位的示例是由Microxct成像的部分。可以将该基于计算机的数据横跨任何所需方向的二维切片横跨。因此,三维X射线显微镜提供了一种灵活的方式,可以在复杂的封装中表征许多线粘合剂和特征的形状,尺寸和接近。
图1。3d导线保存包裹的翻译。通过Microxct-200生成的断层摄影创建3D卷。
与VersaxRM系列提供的三维断层扫描信息相比,非破坏性的2D X射线射线照相可能会错过关键信息。图2显示了由于电气短而导致的类似包装的X射线图像。请注意,电线有两种不同的直径;稀释剂携带信号,较厚的携带电力。
通过如图2所示的2D x射线成像检查失效的部件是不确定的,因为它没有提供足够的深度信息来显示金属丝是否被短接在一起,或者大直径的金属丝是否只是简单地通过较细的金属丝。
图2。引线键合封装的2D X射线图像
由3D显微镜图像拍摄xradia microxct.如图3所示,上部表明两根电线实际上彼此接触。在图3中,3D数据的虚拟横截面确认电线足够接近,以成为电气短的原因。
图3。怀疑触摸的两根电线的上3D渲染。
下图:黄线位置的3D图像的虚拟横截面确认电线正在触摸。
线键测量示例
用于在封装后进行该测量的传统技术需要包装的物理横截面。这是一种繁琐的过程作为感兴趣的电线,例如怀疑导致电气短的电线必须首先检测,然后必须使横截面切割完全平行于电线。而且,随着包装物理地切割,可以扰乱其他线键。因此,通过传统技术进行测量通常是不实际的。
VersaxRM™系亚微米分辨率3D X射线显微镜,包括Microxct,使得在没有去包装或破坏样品的情况下,可以在完整封装中表征一些或全部的线键。
非破坏性3D X射线显微镜是有益的,因为它能够在给定的封装包装中测量许多导线而不需要物理横截面。可以通过软件容易地易于平行于电线的虚拟横截面。这不仅允许线高度测量,而且还距离距离,例如从线圈顶部的间隙到封装材料的边缘,如图4所示。这对于一个相对较薄的包装尤为重要,在那里它至关重要电线环不会超过覆盖该部件的树脂。这种高度间隙测量是不可能的,具有需要物理横截面的破坏性成像技术,并且难以致力于不可能。除了各种线长度和角度之外,可以测量导线到导线最小距离,如图5所示。
图4。单线键的虚拟横截面。请注意如何将其形状和接近芯片和塑料封装材料的顶部测量。
图5。虚拟横截面可以测量多个电线之间的接近度。
Versaxrm的高分辨率能力提供了用于新的线粘合装置的表征的值,尤其是由于引线键合直径和俯仰减小并且介绍了更复杂的架构。Versaxrm的非破坏性性质提供了在同一样品上执行多重测量的独特能力,例如在后和后的压力测量之前。此外,除了3D互连形态之外,显微镜还可以同时提供额外的故障分析信息,例如断线,导致打开和导致导致短路的电线。
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