通过硅通过描述(tsv)半导体行业

即将到来的晶体管扩展限制推动了半导体行业推进包装以保持与摩尔定律。tsv促进先进半导体封装晶片和芯片通过叠加实现系统集成的死在包装。然而,发展低成本、高收益的生产工艺和设计经久不衰的TSV设备架构保持关键市场采用先进的3 d封装技术壁垒。为了解决这些问题,TSV形态需要观察和量化处理和/或operation-induced失败需要特征。

现有技术的缺点

现有方法如物理交叉分割有足够的2 d分辨率捕获图像的横截面的失败。然而,交叉分割的共同缺点,各自的切割技术,是轻微错位的位置把脸从真正的通过的中心。这些失调导致不平衡的和弦截面削减,沿着真正的中锋直径不一致的部分,因此导致扭曲的差异估计缺陷的形成和形态的测量尺寸。通过大小减少时,这一问题变得更加重要。切片在本质上是破坏性的,它会损害或完全破坏故障区域。因此,为了排除重复成像,观察进化失败是不可能的。

此外,切片是一个耗时的过程,因此少数tsv只能捕捉到这种技术。因此,需要一种新的TSV非破坏性分析方法,能够提供高分辨率的3 d分析和大容量数据可靠性的结论。

从Xradia合适的解决方案

的UltraXRM-L200从Xradia 3 d x射线显微镜的空间分辨率下降到50 nm。它可以满足分辨率要求当前和下一代tsv捕捉图像,可以捕捉大量的3 d图像同时tsv。它在本质上是无损的,因此它可以执行时间流逝(4 d)成像探索包的结构完整性和可靠性不同处理条件下。整个体积的同步观测multiple-via数组中的每个通过允许UltraXRM-L200避免耗时的缺陷的位置,从而使多个通过一个扫描的分析以优化数据集样本统计死亡。将晶片表面的图像结构,有必要减少整片厚度位置50µm成像。UltraXRM-L200提供了两种分辨率和视场(FOV)配对:65µmµm FOV 50纳米的分辨率和视场for150纳米分辨率。

在一项研究中,一个晶片,裂解10 x 10毫米外观大小紧随其后的是抛光的背后50µm,使用UltraXRM-L200进行了分析。这项研究的结果如图1和图2所示。

图1所示。许多通过使三维可视化的位置内的空隙填铜通过。(一个)显示了通过在硅孔隙可见;(B)在通过更清楚地显示了空洞。在这种扫描,行4µm(左上)和5µm(右下角)通过比较每个进程同时采样。

图2。在金属填充孔隙的大小分布。两个不同的特征通过直径在这个扫描,产生两个直方图分离在这个阴谋。

结论

的结果,很明显,UltraXRM-L200能够显示空白卷4µm和5中的差异µm通过通过执行本地化量化的缺陷。缺陷的定位信息通过允许在每个测量提供额外的结论对失败机制,即。,对通过绘制空白卷卷为了关联通过大小缺陷增长的效果,或者确定处理变化通过孔洞体积测量趋势以及通过横向方向。非破坏性检查文明程度使重复成像,可用于分析故障演化通过许多不同的函数在每个变量如电流或热量。

这些信息已经采购,审核并改编自Xradia提供的材料。欧洲杯足球竞彩

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