时间快不多了半导体行业的晶体管变得越来越小,绝缘的二氧化硅层,已经只有原子厚度,达到最大收缩。此外,薄硅层变得越大,必须使用大量的化学掺杂物保持电接触。这里的限制也接近达成。 但是一个康奈尔大学研究造成的信息产业热点发现可以精确地控制一个复杂氧化物材料的电子性质——一个可能的替代硅绝缘体在原子水平。这可以不含化学成分。相反,掺杂剂正是一无所有。 在最近一期《自然》杂志上的一篇论文(2004年8月5日),大卫·穆勒在康奈尔大学应用物理学和工程学的副教授,和他的合作者,哈罗德·黄东京大学的报告,通过移除氧原子层薄膜的氧化钛酸锶,他们可以精确地控制材料的导电能力通过创建空的空间,或空缺,作为电子基掺杂物。他们使用扫描透射电子显微镜(STEM)告诉哪里丢失的原子的材料。
在半导体行业,这种复杂的氧化物正在寻求替代硅。障碍是所有测试氧化物容易失去几氧原子,使他们漏和缺陷暴露于电场时,通常比那些在闪电。 ”工作的重要组成部分实际上是能够看到空缺埋在材料内部,”穆勒说。“从材料分析的角欧洲杯足球竞彩度来看,这是非常重要的。原因是缺少原子可以改变材料的性质非常显著。”He adds, "We have been able to show that we can stop on a dime in controlling where you put these vacancies." 《自然》杂志的一篇评论文章中称“看到任何的价值,”Jochen Mannhart奥格斯堡大学,德国,和达雷尔·g . Schlom宾夕法尼亚州立大学的观察,穆勒和他的同事们的研究“极大地拓宽了选择可用于操纵电子氧化物的性质”在纳米尺度。纳米宽度的三个硅原子。 |