超高质量的碳化硅单晶开发的丰田中央-新闻项目

中村大辅先生和同事在丰田中央研发实验室公司开发了超优质碳化硅单晶，其位错密度比传统的少了2到3个数量级，并在2004年8月26日的《自然》杂志上发表了这项研究。

碳化硅(SiC)具有一系列有用的物理、机械和电子性能，使其成为下一代电子设备的有前途的材料。仔细考虑SiC{0001}生长的热条件，使晶体直径和质量得到了改善:宏观缺陷的数量，如空心位错(微管)、夹杂物、小角度边界和长程晶格翘曲已经减少。但有些宏观缺陷(约1-10厘米)^－2)和大密度的基本位错(~10⁴厘米^－2)，如边缘位错、基面位错和螺旋位错，都留在晶体内，迄今为止阻碍了在SiC中实现高效率、可靠的电子器件。

在这里，我们报告了一种方法，受到垂直于c轴生长的SiC位错结构(a面生长)的启发，以减少2到3个数量级的SiC单晶中的位错数量，使它们几乎没有位错。实际上，RAF衬底的晶体质量比传统衬底好得多。我们认为在不久的将来可以完全消除脱位，并将直径扩大到几英寸。这些衬底将促进大功率SiC器件的发展，并降低由此产生的电气系统的能量损失。

这一成果是在电装公司的合作下取得的。

我们将于8月31日至9月4日在意大利博洛尼亚举行的第五届欧洲碳化硅及相关材料会议(ECSCRM2004)上发表研究结果。欧洲杯足球竞彩

在8月26日^th2004